不再講超越台積電，三星半導體業務改寄望 2 奈米與 HBM

三星電子公布 2024 年第三季財報，負責半導體業務的 DS 部門，整體獲利金額較第二季下滑 40%。三星計劃 2025 年專注第六代高頻寬記憶體（HBM4）開發和先進製程，也就是量產 2 奈米因應市場需求。

三星半導體 DS 部門第三季營收為 29.17 兆韓圜，營業利益為 3.86 兆韓圜。較第二季的營業利益 6.45 兆韓圜大幅下跌超過 40%，也未達市場預期。對此，三星電子計劃重點擴大 DS 部門高價值產品的銷售，並確保技術領先地位。

DRAM 方面，三星計劃繼續擴大 HBM 銷售，並加速 DDR5 第五代 10 奈米 DRAM（1b 製程）發展，積極因應市場對 32Gb DDR5 的大容量伺服器記憶體的需求。NAND Flash 方面，三星也計劃擴大採用第八代 V-NAND 的 PCIe 5.0 銷售，並量產大容量 QLC 產品鞏固市場地位。

系統半導體部分，System LSI 計劃擴大 Exynos 2400 供應，DDI 顯示驅動晶片擴大支援 OLED。最後晶圓代工業務，擴大各種應用提高生產能力，確保 2 奈米 GAA 製程量產滿足客戶需求。

2025 年 DS 部門預測，三星採先進製程產品如 HBM 和伺服器 SSD 等，專注構建有利可圖的產品組合。記憶體方面，積極擴大 HBM3E 銷售量，HBM4 下半年量產。

此外，積極擴大高階產品銷售，如伺服器用 128GB 或更大 DDR5，以及行動、PC 和伺服器用 LPDDR5X 等這些產品開始向第八代 V-NAND 製程轉移，並積極回應基於 QLC 的大容量需求。而 System LSI 也專注於為主要客戶的旗艦產品來供應 SoC，同時也專注下代 2 奈米發展。

(首圖來源：Flicker/Corey Seeman BY CC 2.0)