路透社報導,韓國 SK 集團會長崔泰源表示,輝達執行長黃仁勳要求 SK 海力士提前六個月供應 HBM4 高頻寬記憶體。崔泰源指出,SK 海力士會嘗試,因能加強與輝達合作,也能與台積電拉近關係。
SK 集團會長崔泰源日前在 SK AI Summit 2024 發表主題演講時表示,SK 海力士計劃 2025 下半年推出 12 層 DRAM 堆疊首批 HBM4 產品,16 層堆疊 HBM 稍晚 2026 年推出。崔泰源指黃仁勳要求 SK 海力士提前六個月供應 HBM4,SK 海力士也願意嘗試,加強與輝達合作。
另外,SK 海力士和台積電 4 月簽署合作諒解備忘錄,就 HBM 基礎裸片加強合作,如滿足輝達 HBM4 需求,也可拉近與台積電的關係。
7 月就有消息表示輝達、台積電和 SK 海力士組建三角聯盟,迎接 AI 時代,共同推進 HBM4 等下代先進技術,消息稱 SK 海力士已和台積電達成合作共識,將共同設計和生產 HBM4 系列的部分產品,並計劃 2026 年開始量產。黃仁勳先前表示與 SK 海力士合作,用少量記憶體執行精確結構化計算,取得超越摩爾定律的進步,仍需 SK 海力士提供更多 HBM。
SK 海力士 10 月 24 日公布 2024 年第三季財報,合併收入 17.5731 兆韓圜,較第二季成長 7%、也較 2023 年同期增長 94%,創下歷史單季新高紀錄。DRAM 業務方面,SK 海力士從 HBM3 迅速轉換至八層 HBM3E,9 月量產 12 層 HBM3E 產品按原計畫第四季供貨,第三季 DRAM 總銷售額佔 30% 的 HBM 第四季達 40%。
(首圖來源:SK 海力士)