日本經濟新聞的報導，日本新創半導體製造商 Rapidus 的會長東哲郎，在本月 11 日於 SEMICON Japan 會議的開幕式上致詞時表示，對該企業的 2 奈米節點製程的試產線充滿信心。
東哲郎表示，Rapidus 的 EUV 曝光設備將於本月交貨給工廠。還有 200 餘台設備陸續交貨。所有設備 2025 年 3 月底前到位，啟動生產 2 奈米晶片試產線。客戶試產期間可測試，確認晶片能否實用。
根據 Rapidus 規劃，完成試產後目標 2027 年 4 月量產 2 奈米。Rapidus 曾表示與 40 多家潛在客戶洽談中。
Rapidus 合作夥伴 IBM 日前於 IEEE IEDM 2024 國際電子元件會議，展示合作的多閾值電壓 GAA 電晶體成果，有望用於 Rapidus 2 奈米。IBM 表示，先進製程升級至 2 奈米後，電晶體結構由使用多年的 FinFET 鰭式場效應電晶體，轉成 GAAFET 全環繞柵極場效應電晶體，對製程改朝換代帶來新挑戰。如何達多閾值電壓（Multi Vt），讓晶片以較低電壓執行複雜計算是個挑戰。
另外，目前 Rapidus 的營運高度依賴日本政府的資助，整體資金中有近 99% 屬於政府的資金補貼。東哲郎對此表示，我們將盡快從政府的支持中獨立起起來，將員工工資提高到令人滿意的水準，並使獲利成為可能。
(首圖來源：Rapidus)
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