力拚五年內超越台積電！三星宣布二代 3 奈米製程

南韓三星去年 6 月底量產第一代 3 奈米 GAA (SF3E) 製程，是三星首次採用全新 GAA (Gate-All-Around) 架構電晶體技術，打破 FinFET 性能限制，降低工作電壓提高能耗比，增加驅動電流提升晶片性能。外媒報導，三星將介紹第二代 3 奈米製程，效能較第一代 3 奈米製程再最佳化。11 日為台積電技術論壇台北場開始，三星此時宣布頗有較勁意味。