月初英特爾執行長 Pat Gelsinger 於 2024 年第二季財報會議透露，美國俄勒岡州半導體研發基地即將迎接第二套 High-NA EUV 進駐，很快就會入廠。這是 2023 年底 ASML 交貨英特爾第一套 High-NA EUV、今年 4 月組裝完成後，英特爾購入的第二套 High-NA EUV。
韓國首爾經濟日報報導，三星也將於第四季到 2025 年第一季開始安裝首套 High-NA EUV，主要用途是研發。進駐地為華城園區，2025 年中啟用，三星決定將用首套 High-NA EUV 開發邏輯和 DRAM 晶片先進製程，維持競爭力。三星也與 Lasertec、JSR、Tokyo Electron 和 Synopsys 合作，打造 High-NA EUV 生態系統。
ASML 有十多套 High-NA EUV 訂單，除了英特爾，台積電、三星、SK 海力士及美光都在排隊。ASML 之前證實台積電年底導入 High-NA EUV，三星和 SK 海力士要到 2025 年，最快 2025 下半年。依市場消息看，三星有機會比台積電早拿到 High-NA EUV。
High-NA EUV 是高數值孔徑新產品，每小時生產超過 200 片晶圓，製造 3 奈米節點以下晶片。0.55 數值孔徑，較 0.33 數值孔徑透鏡 EUV 精度再提高，達超高解析度圖案化，能生產更多電晶體。一套 High-NA EUV 價格約 3.8 億美元，是 EUV 兩倍多。
(首圖來源：英特爾)
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