ASML 將跨入後段封裝設備市場,瞄準先進封裝大幅成長商機

作者 | 發布日期 2026 年 03 月 24 日 7:45 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 晶片 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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ASML 將跨入後段封裝設備市場,瞄準先進封裝大幅成長商機

市場消息指出,全球微影曝光機龍頭艾司摩爾(ASML)正準備跨出傳統的前段製程設備領域,正式進軍半導體後段設備市場。

消息指出,ASML 正將目光鎖定在快速成長的先進封裝領域,並且正在著手開發下一代晶片封裝的關鍵核心工具-混合鍵合(Hybrid Bonding)系統,以滿足下一代高頻寬記憶體(HBM)等高階產品的製造需求。

ASML 目前已經開始針對半導體後段製程的混合鍵合設備進行整體架構的設計工作。有消息人士透露,該公司在近期已經正式啟動了該系統的開發計畫,並積極與外部的合作夥伴展開協同合作。這項舉動不僅代表 ASML 產品線的重大擴張,也凸顯了先進封裝技術在未來半導體產業鏈中的關鍵地位。

目前在推動混合鍵合技術的發展上,ASML 正在尋求與其微影曝光機系統的長期供應商進行深度合作,潛在的合作夥伴包含了 Prodrive Technologies 以及 VDL-ETG。Prodrive Technologies 長期以來主要負責提供 ASML 極紫外光(EUV)微影曝光機中磁浮(maglev)系統所使用的線性馬達與伺服驅動器。至於, VDL-ETG 則負責製造這些精密系統中的機械結構。

而將這些技術導入封裝領域有其深刻的工程考量,其中,磁浮系統在微影曝光機中被用於以極高的精確度移動晶圓載物台,並且與傳統的空氣軸承系統相比,它能夠產生更少的震動。由於混合鍵合設備對於超高精度的對齊有著極為嚴格的要求,這種先進的磁浮技術正日益被應用於該領域中,成為提升封裝良率與精度的關鍵。

還有,混合鍵合被視為下一代的半導體封裝技術,主要用於堆疊並連接不同的晶片裸片,與傳統的熱壓鍵合技術有著顯著差異。混合鍵合技術完全消除了對微觀金屬凸塊的依賴,轉而在晶片之間直接連接銅表面。在具體的製程當中,鍵合機的接合頭會拾取晶片裸片,將其精準移動到基板或另一片晶圓上,隨後施加壓力以在銅層之間建立直接的鍵合連接。

而市場對於 ASML 跨足此領域,產業分析師普遍表示這完全符合市場預期。原因是 ASML 早在 2024 年就已經推出了其首款專為後段製程設計的 TWINSCAN XT:260 設備,這是一款專為先進封裝打造的 3D 深紫外光(DUV)微影曝光系統,主要用於在矽中介層上形成重分布層(RDL),以滿足高階封裝的應用需求。在此同時,ASML 當時還發表了一套結合 DUV 與 EUV 掃描儀的全方位微影曝光解決方案,成功將晶圓鍵合的對齊精度提升至約 5 奈米的驚人水準,為其進軍混合鍵合市場打下了堅實的技術基礎。

針對公司在先進封裝市場的動向,ASML 技術長 Marco Peters 近期在接受國際媒體採訪時透露,公司內部一直都在密切評估半導體封裝領域的各種機會。他同時補充說明,在深入檢視了包括 SK 海力士(SK Hynix Inc.)等全球記憶體製造大廠的技術路線圖之後,公司得出了一個明確的結論,那就是市場對於堆疊製程設備的需求是非常清晰且龐大的。

除了看準市場需求之外,投資者的壓力也是促使 ASML 積極布局混合鍵合技術的關鍵驅動因素之一。近年來,先進封裝市場呈現爆發性的快速成長,連帶使得專注於該細分領域的設備供應商取得了極為亮眼的業績表現。這種現象引發了投資者的關注,他們紛紛呼籲 ASML 應當把握自身技術優勢,迅速採取行動,以搶佔這個不斷擴張且利潤豐厚的市場占有率。

在 ASML 準備進軍之際,混合鍵合與先進封裝設備市場早已是兵家必爭之地,各家大廠紛紛繳出亮眼的成績單。封裝設備供應商 Besi 指出,主要受到混合鍵合強大需求的推動,該公司第四季的訂單積壓量較前一年同期大幅成長了 105%。另一家業界大廠 ASMPT Ltd. 也在 2025 年預測,先進封裝業務有望在未來佔據其總營收的四分之一左右。

此外,全球沉積與蝕刻設備供應商龍頭應用材料(Applied Materials Inc.)也已經搶先跨入該細分市場。2025年,應用材料正式與 Besi 建立合作夥伴關係,並成為其最大股東,雙方攜手開發了 Kynex 晶片對晶圓混合鍵合系統,該系統整合了 Besi 旗下的 Datacon 8800 Cameo Ultra Plus AC 混合鍵合機,展現出強大的市場企圖心。

市場人士分析指出,ASML 的混合鍵合技術未來一旦正式推出,將有可能大幅重塑現有的市場競爭格局,因為 ASML 擁有一些世界上最先進的超精密控制技術。因此,其混合鍵合設備可能會立即改變市場的競爭動態。事實上,ASML 的 EUV 微影曝光系統向來以其奈米級的極致精準度聞名於世。特別是在其高數值孔徑(High-NA)EUV 系統中,曝光層之間的疊對精度大約可以控制在 0.7 奈米左右,這項數據充分凸顯了該公司在超精密對齊技術上擁有難以撼動的強大能力。

然而,儘管產業界傳聞不斷,且相關供應鏈及技術開發細節已陸續浮出水面,ASML 官方對此卻給出了截然不同的保守回應,僅表示公司目前並沒有在追求混合鍵合業務。儘管官方出面澄清,但考量到先進封裝在未來半導體晶片效能提升上的關鍵作用,以及 ASML 此前在後段製程設備上的技術展示,這家微影曝光機大廠在先進封裝領域的每一步策略與技術動向,無疑仍將是全球半導體產業持續密切關注的焦點。

(首圖來源:ASML)

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