集邦:三星跳電預期衝擊小,惟記憶體類股 2 日早盤開始反映 作者 Atkinson | 發布日期 2020 年 01 月 02 日 10:15 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體 | edit 針對 2019 年 12 月 31 日南韓三星電子於華城廠區所發生的跳電事件,整體影響到 DRAM、NAND Flash 及 LSI 方面採用 EUV 技術來生產系統半導體的部分,分析機構指出,在跳電時間較短的情況下,雖然影響縮小到可控制的範圍內。但是,其真正的損失數字仍有待三星在進行完產線檢查後進一步公布。不過,相關的市場影響已開始發酵,2 日台股早盤,相關記憶體族群都已有股價表現。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: dram , LSI , NAND Flash , 三星 , 半導體 , 南亞科 , 品安 , 威剛 , 宇瞻 , 旺宏 , 群聯 , 華邦電 , 記憶體