下世代 EUV 單一造價近 120 億元，仍為半導體廠兵家必爭之地

外媒《Anandtech》報導，最先進晶片製造技術是 4 / 5 奈米製程，下半年三星和台積電還將量產 3 奈米製程，對使用 ASML EUV 微影曝光技術的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統來說，因有 0.33 NA（數值孔徑）光學器件，可提供 13 奈米解析度，目前看來解析度尺寸對 7 / 6 奈米節點 (36~38 奈米) 和 5 奈米 (30~32 奈米) 單一曝光技術已足夠。隨著間距低於 30 奈米（超過 5 奈米級先進節點）時代到來，13 奈米解析度可能需雙重曝光技術，將是未來幾年內主流技術應用。