中國記憶體廠長鑫存儲(CXMT)日前於舊金山第 69 屆 IEEE 國際電子元件年會(IEDM)發表論文,展示環繞式閘極結構(Gate-All-Around,GAA) 技術,適用 3 奈米級晶片。顯示中國半導體突破美國制裁封鎖,朝先進製程前進。
中國長鑫存儲發表 GAA 技術論文,顯示打破美國制裁封鎖 |
作者 Atkinson|發布日期 2023 年 12 月 15 日 7:00 | 分類 IC 設計 , 中國觀察 , 半導體 |