據《DealSite》報導,三星電子正加速導入 10 奈米級第六代(1c)DRAM 設備,目標在明年初啟動 HBM4 量產,努力追趕已率先與輝達簽署供應合約並進入量產階段的 SK 海力士。 繼續閱讀..
三星加速導入 1c DRAM 設備,全力趕上 HBM4 量產時程 |
| 作者 蘇 子芸|發布日期 2025 年 11 月 04 日 16:00 | 分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體 |




