外媒《Anandtech》報導,最先進晶片製造技術是 4 / 5 奈米製程,下半年三星和台積電還將量產 3 奈米製程,對使用 ASML EUV 微影曝光技術的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統來說,因有 0.33 NA(數值孔徑)光學器件,可提供 13 奈米解析度,目前看來解析度尺寸對 7 / 6 奈米節點 (36~38 奈米) 和 5 奈米 (30~32 奈米) 單一曝光技術已足夠。隨著間距低於 30 奈米(超過 5 奈米級先進節點)時代到來,13 奈米解析度可能需雙重曝光技術,將是未來幾年內主流技術應用。
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慧榮捐贈快篩試劑幫助新竹弱勢社福單位抵抗疫情 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2022 年 05 月 27 日 15:10 | 分類 IC 設計 , 會員專區 , 記憶體 |
NAND 快閃記憶體控制晶片領廠商慧榮科技 27 日宣布,贊助 COVID-19 快篩試劑給公司長期贊助和配合志工活動的社福機構,包括世光教養院、心路基金會新竹分會、新北家扶發展學園、幸福基金會、向陽兒少之家、奇歷兒少之家以及慢飛家族的 7 家身心障礙照顧機構。隨著台灣 COVID-19 疫情逐漸邁入高峰期,確診人數不斷攀升,照顧身心障礙和安置失依兒少的機構面臨龐大壓力,慧榮科技希望藉由提供快篩試劑大幅降低機構內發生群聚感染的風險。



