Category Archives: 半導體

進入 7 奈米時代!AMD 推出台積電 7 奈米製程 CPU 及 GPU

作者 |發布日期 2018 年 11 月 07 日 8:30 | 分類 AI 人工智慧 , GPU , 會員專區

處理器及繪圖晶片大廠 AMD,台北時間 7 日凌晨在美國舊金山舉辦的技術大會上,正式公布了自家在 CPU 及 GPU 兩部分的 7 奈米製程產品。其中,在 GPU 部分是 Radeon Instinct MI60/MI50 專業顯示卡,兩款將於 2018 年底,以及 2019 年初正式發表。至於,在 7 奈米製程的處理器部分,AMD 則是推出了 EPYC 伺服器處理器,該產品則是預計在 2019 年正式推出。

繼續閱讀..

中國 NAND Flash 產業最快一年多後衝擊南韓相關企業

作者 |發布日期 2018 年 11 月 06 日 19:10 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

根據韓國科技媒體《DDaily》的報導指出,南韓半導體業界人士透露,相較 DRAM 市場,來自中國的 NAND Flash 快閃記憶體製造商威脅已近在眼前。雖然, DRAM 也必須持續保持注意力,但是目前中國的 DRAM 企業要想對南韓的相關企業造成影響還很難,尤其是在近期美國政府出重手制裁中國的 DRAM 製造商福建晉華之後。相對來說,NAND Flash 快閃記憶體要影響南韓企業,目前可能只剩一年多的時間就看得到。

繼續閱讀..

終端需求前景黯淡,10 月 NAND Flash 顆粒/Wafer 合約價跌幅顯著

作者 |發布日期 2018 年 11 月 06 日 14:20 | 分類 記憶體 , 財經 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查,2018 年 NAND Flash 市場全年處於供過於求,需求面隨著筆記型電腦及智慧型手機 OEM 庫存皆已備足,再加上中美貿易戰、英特爾 CPU 缺貨等影響,對於需求動能可以說是雪上加霜。10 月份除了 SSD、eMMC / UFS 價格持續下跌外,各類 NAND Flash 顆粒及 Wafer 產品的合約價跌幅更為顯著。 繼續閱讀..

聯電涉美光竊密案遭罰 200 億美元?數字可能高估了

作者 |發布日期 2018 年 11 月 06 日 8:00 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

受到美國司法部訴訟案影響,聯電 5 日股價創下 3 年新低,根據美國在台協會的新聞資料,美國司法部可能對晉華和聯電罰款 200 億美元(約新台幣 6,200 億元),而這個價格已經是聯電市值的 4 倍以上。若罰款當真這麼高,將對聯電造成致命影響。不過,對此罰金,聯電表示,「在判決有罪確定之前,推定無罪」。 繼續閱讀..

GaN 在 5G 射頻應用將脫穎而出

作者 |發布日期 2018 年 11 月 06 日 7:45 | 分類 晶片 , 會員專區 , 網通設備

相較目前主流的矽晶圓(Si),第三代半導體材料 SiC 與 GaN(氮化鎵)具備耐高電壓特色,並有耐高溫與適合在高頻環境下優勢,其可使晶片面積大幅減少,並簡化周邊電路設計,達成減少模組、系統周邊零組件及冷卻系統體積目標,GaN 應用範圍包括射頻、半導體照明、雷射器等領域。 繼續閱讀..

南亞科 10 月營收月成長衰退 15.71%,估全年位元出貨量仍成長

作者 |發布日期 2018 年 11 月 05 日 15:45 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 財經

記憶體大廠南亞科 5 日公布 2018 年 10 月份財報!根據財報顯示,2018 年 10 月份南亞科營收為新台幣 67.26 億元,較 9 月份的 79.79 億元,減少 15.71%,較 2017 年同期的 50.72 億元,增加 32.60%。累計,2018 年前 10 個月營收則是達到 744.90 億元,較 2017 年同期增加 72.34%。

繼續閱讀..

10 月合約價格正式起跌,主流模組 4GB 面臨 30 美元保衛戰

作者 |發布日期 2018 年 11 月 05 日 14:45 | 分類 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查,各大廠已議定第四季合約價的情況下,10 月合約價格開始大幅滑落,主流模組 4GB 的均價自上季的 34.5 美元滑落至 31 美元,跌幅 10.14%;大容量模組 8GB 跌幅更明顯,自上季的 68 美元滑落至 61 美元,跌幅為 10.29%。由於 DRAM 市場供過於求的態勢才剛開始,因此不排除 11 月與 12 月價格將持續下探。由於各家廠商積極求售,8GB 解決方案的跌幅預期將會持續高於 4GB 解決方案。 繼續閱讀..

全球首款!SK 海力士成功研發 96 層 4D NAND,年內量產

作者 |發布日期 2018 年 11 月 05 日 13:00 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

韓聯社、東亞日報日文版報導,南韓半導體大廠 SK 海力士(SK Hynix Inc.)於 4 日宣布,已成功研發出較現行 3D 架構 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)進一步進化的「4D NAND Flash」產品。SK 海力士表示,現行大多數廠商都在 3D NAND 上採用 CTF(Charge Trap Flash,電荷儲存式快閃記憶體),而 SK 海力士則是在 CTF 架構上追加「PUC(Peri Under Cell)」技術,研發出全球首款堆疊 96 層的 512Gb 3bit/cell(Triple Level Cel,TLC)4D NAND Flash 產品。 繼續閱讀..

捨棄高通!蘋果攜手英特爾 2020 年推出 5G iPhone

作者 |發布日期 2018 年 11 月 05 日 10:45 | 分類 Apple , iPhone , Samsung

根據國外科技網站《macrumors》的報導,消息人士透露,蘋果將於 2020 年推出其首款支援 5G 的 iPhone 手機。而且,該款 5G 的 iPhone 手機將使用處理器大廠英特爾(Intel)旗下以 10 奈米製程所打造的型號為 8161 的基頻晶片,而英特爾也將成為蘋果裝置 5G 基頻晶片的唯一供應商。

繼續閱讀..

郭明錤:2019 年新款 iPhone 將提升 Face ID 體驗,帶動供應鏈受惠

作者 |發布日期 2018 年 11 月 02 日 16:00 | 分類 Apple , iPhone , 手機

雖然在 2018 年 9 月的新品發表會上,蘋果對於安裝在 iPhone 上的臉部辨識系統(Face ID)並沒有詳加著墨,僅說要提升辨識速度而已。而對此,中資天風證券分析師郭明錤則表示,蘋果將在 2019 年推出的新款 iPhone 上提升 Face ID 的功能,這將使得相關的供應鏈廠商能夠受惠。

繼續閱讀..