Tag Archives: 記憶體

英特爾大連廠轉型生產 NAND Flash,中國儲存記憶體市場更蓬勃

作者 |發布日期 2015 年 10 月 21 日 17:05 | 分類 中國觀察 , 晶片 , 零組件

半導體產業龍頭英特爾 20 日宣布與大連政府配合,將原先以 65 奈米製程生產處理器晶片的中國大連廠,轉型為生產最新的 3D-NAND Flash 晶片,總投資金額高達 55 億美元,預計於明年下半年開始量產。根據 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新公布數據,2015 年整體中國市場 NAND Flash 總消耗量換算產值高達 66.7 億美元,佔全球產值 29.1%,明年更可望達到全球 NAND Flash 產量的三分之一,成長幅度十分驚人。

繼續閱讀..

東芝攜手 SanDisk 衝刺 3D Flash,2016 年 Q1 生產

作者 |發布日期 2015 年 10 月 21 日 14:30 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件

南韓三星電子(Samsung Electronics)領先全球同業,於去年 10 月搶先量產 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)產品,而三星競爭對手東芝(Toshiba)目前除藉由 15nm 製程 NAND Flash 對抗三星 3D NAND Flash 產品之外,現在也將攜手 SanDisk 衝刺 3D NAND Flash,計劃於明年第 1 季(2016 年 1-3 月)開始生產 3D 產品。

繼續閱讀..

TechNews 科技早報 – 20151010

作者 |發布日期 2015 年 10 月 10 日 9:28 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經

iPhone 6S 容量倍增難挽 DRAM 頹勢
蘋果 iPhone 6S/6S Plus 行動記憶體容量倍增至 2GB,只是仍無法扭轉動態隨機存取記憶體市場供過於求情況,產品價格頻頻破底。市場原本期望,蘋果 iPhone 6S/6S Plus 行動記憶體容量倍增,可望有助去化 DRAM 產能,將有利支撐 DRAM 產品價格表現… 繼續閱讀..