Tag Archives: HBM

伺服器支撐下半年需求，預估 DRAM 價格第三季漲幅達 8%~13%
作者 |發布日期 2024 年 06 月 27 日 15:12 |
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分類 伺服器 , 半導體 , 晶片

根據全球市場研究機構 TrendForce 最新調查顯示，由於通用型伺服器（general server）需求復甦，加上 DRAM 供應商 HBM 生產比重進一步拉高，使供應商將延續漲價態度，第三季記憶體均價將持續上揚。DRAM 價格漲幅達 8%~13%，其中 Conventional DRAM 漲幅為 5%~10%，較第二季漲幅略有收斂。

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韓系記憶體廠產能利用率恢復緩慢，下半年標準 DRAM 難現供貨吃緊
作者 |發布日期 2024 年 06 月 20 日 9:30 |
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分類 Samsung , 半導體 , 會員專區

韓國媒體 ETNews 引述市場人士的消息報導指出，韓國兩大記憶體廠三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 記憶體產能利用率維持在 80%~90%。而這一情況與大多數企業已達成生產正常化的 NAND Flash 快閃記憶體情況形成鮮明對比。因為除了鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已於本季也達到 NAND Flash 快閃記憶體產線滿載生產的情況。

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美光單季獲利較一年前轉虧為盈，股價創歷史新高
作者 |發布日期 2024 年 06 月 11 日 11:10 |
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分類 半導體 , 晶片 , 會員專區

記憶體大廠美光科技公布 2024 年第一季業績，獲利轉虧為盈，加上預期第二季營收由於市場預期的情況下，股價上漲，收盤時來到每股 134.82 美元，漲幅達到 2.96%。盤後交易股價再上漲 0.25%，收盤價來到每股 135.16 美元，上漲 0.34 美元，創下歷史新高紀錄。

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