Tag Archives: High-NA EUV

台積電 EUV 經驗豐富力壓對手，創新降低 EUV 功耗達 24%
作者 |發布日期 2024 年 05 月 21 日 15:50 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 會員專區

儘管台積電不是第一家使用極紫外線 (EUV) 微影的晶圓廠，第一頭銜為韓國三星拿下，但可確定台積電仍是全世界 EUV 用量最大代工廠。台積電多年來累積豐富 EUV 經驗，改善 EUV 工具，提高效率與產能，並降低成本。台積電年度技術論壇歐洲場詳細說明。

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英特爾新影片公開 High-NA EUV 曝光機俄勒岡晶圓廠裝機
作者 |發布日期 2024 年 03 月 05 日 9:10 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

2023 年年底，曝光機大廠 ASML 開始向英特爾交貨其首個高數值孔徑 High-NA極紫外線 (EUV) 曝光機。上週末，英特爾也發布了一段網路影片，介紹工具於俄勒岡州希爾斯伯勒 (Hillsboro) 附近晶圓廠安裝狀況。英特爾規劃，設備主要研究和開發用。

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英特爾向德國遞交晶圓廠興建藍圖，安裝 High-NA EUV 曝光機
作者 |發布日期 2024 年 03 月 04 日 12:15 |
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分類 公司治理 , 半導體 , 國際觀察

2023 年 6 月，處理器龍頭英特爾 (Intel) 與德國聯邦政府達成了協議，雙方宣布簽署了一份修訂的投資意向書，計畫投資超過 300 億歐元，在馬格德堡興建兩座新的晶圓廠。德國聯邦政府已同意提供 100 億歐元補貼，含《歐洲晶片法案》和政府激勵措施及補貼。

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High-NA EUV 設備「初光」里程碑！英特爾、ASML 稱主要元件已啟動
作者 |發布日期 2024 年 02 月 29 日 10:16 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 會員專區

綜合外媒報導，ASML 與英特爾本週宣布達成重要里程碑，其最先進 High-NA EUV 曝光機 Twinscan EXE：5000 的主要元件已經啟動，即首度打開光源並使光線到達晶圓上的抗蝕層，並開始運作，表示光源和反射鏡已正確對準。這是啟動過程中的關鍵一步，儘管尚未達到峰值性能。 繼續閱讀..

ASML：Hyper-NA EUV 為半導體下個十年重要變化，但關鍵在成本
作者 |發布日期 2024 年 02 月 17 日 15:20 |
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分類 半導體 , 會員專區 , 材料、設備

縮小晶片的電晶體尺寸，這對於晶片性能的持續發展至關重要。因此，半導體產業正在研究各種方法來縮小電晶體的尺寸。未來幾年，晶片製造商將採用 ASML 最新的 High-NA EUV 微影曝光設備，藉以進行 3 奈米後製造節點的技術發展。但接下來呢？ ASML 表示，目前正在發展 Hyper-NA，並尋找尚未定義的新工具，這些工具將在 2030 年之際開始獲得採用，為未來的晶片生產技術提供動力。

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High-NA EUV 幫助不大？ASML 反擊，強調是最佳解決方案
作者 |發布日期 2024 年 02 月 02 日 7:00 |
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分類 半導體 , 國際觀察 , 晶圓

就在日前曝光機大廠艾司摩爾 (ASML) 交貨首套 High-NA EUV 曝光機給予英特爾之後，市場傳出 High-NA EUV 曝光機對半導體廠商在財務幫助不大看法。對此，ASML 表示了不同的看法，認為 High-NA EUV 曝光機在半導體製造上提供了最有效益的解決方案，將可為客戶帶來幫助。

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