Tag Archives: High-NA EUV

Pat Gelsinger：英特爾委外代工不可缺，Intel 18A 不用 High-NA EUV

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 01 月 31 日 7:00 |

分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

日前，英特爾執行長 Pat Gelsinger 在財報會議回應了分析師有關外部代工與 High-NA EUV 應用的提問時表示，外部代工仍是英特爾不可或缺的一環。另外，已經獲得業首套 High-NA EUV 曝光機的英特爾，將會在比Intel 18A 節點製程更先進的製程中來使用。

繼續閱讀..

ASML 交貨英特爾首套 High-NA EUV 曝光機，總價逾 3 億美元

作者 Atkinson|發布日期 2023 年 12 月 22 日 10:00 |

分類半導體 , 晶圓 , 會員專區

曝光機大廠 ASML 21 日宣布，已運送業界首套數值孔徑為 0.55（High-NA）極紫外線（EUV）曝光機給英特爾。英特爾之前表示，首套 High-NA EUV 曝光機將用於學習如何生產 Intel 18A 先進製程，有望使英特爾領先對手台積電和三星。

繼續閱讀..

英特爾年底接收業界首套 High-NA EUV 微影曝光設備

作者 Atkinson|發布日期 2023 年 10 月 03 日 8:30 |

分類半導體 , 會員專區 , 材料、設備

英特爾 (Intel) 上週宣布，投資 185 億美元的愛爾蘭 Fab 34 晶圓廠以 EUV 微影曝光設備量產，是英特爾晶片製造的重要里程碑。

繼續閱讀..

ASML 依計畫年底推出首款 High NA EUV 微影曝光設備

作者 Atkinson|發布日期 2023 年 09 月 06 日 15:40 |

分類半導體 , 會員專區 , 材料、設備

路透社報導，荷蘭半導體設備製造商艾司摩爾 (ASML) 執行長 Peter Wennink 表示，儘管有些供應商阻礙，但年底將照計畫，推出下一世代產品線首款產品。

繼續閱讀..

imec 與 ASML 簽定備忘錄，強化 high-NA EUV 合作

作者 Atkinson|發布日期 2023 年 06 月 30 日 13:45 |

分類半導體 , 會員專區 , 材料、設備

比利時微電子研究中心（imec）及艾司摩爾（ASML）今日宣布，開發最先進高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）微影試驗製程的下一階段強化合作。

繼續閱讀..

ASML：數值孔徑 0.75 超高 NA EUV 微影曝光設備 2030 年登場

作者 Atkinson|發布日期 2023 年 06 月 20 日 17:00 |

分類半導體 , 晶圓 , 會員專區

日本媒體報導，微影曝光設備龍頭艾司摩爾 (ASML) 執行副總裁 Christophe Fouquet 近日在比利時 imec 年度盛會 ITF World 2023 表示，半導體產業需要 2030 年代開發數值孔徑 0.75 的超高 NA EUV 曝光技術，滿足半導體發展。

繼續閱讀..

ASML：High-NA EUV 預計 2024 年出貨，每台成本至少 3.5 億歐元

作者林妤柔|發布日期 2022 年 11 月 15 日 16:09 |

分類半導體 , 晶圓 , 晶片

荷蘭半導體設備業龍頭艾司摩爾（ASML）執行長 Peter Wennink 今日在首爾會議表示，新 High-NA EUV 微影曝光設備 2024 年出貨，每台成本 3 億至 3.5 億歐元。繼續閱讀..

ASML：High-NA EUV 按時程發展，新世代 Hyper-NA 成本為最大關鍵

作者 Atkinson|發布日期 2022 年 09 月 29 日 15:30 |

分類半導體 , 晶圓 , 晶片

曝光微影設備大廠艾司摩爾 (ASML) 技術長 Martin van den Brink 接受外媒 Bits & Chips 採訪，表示新一代 High-NA EUV 微影曝光設備照時程開發，可能打亂時程就只供應鏈問題。High-NA EUV 下一代 Hyper-NA 微影曝光設備也正開發，成本為關鍵。

繼續閱讀..