ASML 依計畫年底推出首款 High NA EUV 微影曝光設備

路透社報導，荷蘭半導體設備製造商艾司摩爾 (ASML) 執行長 Peter Wennink 表示，儘管有些供應商阻礙，但年底將照計畫，推出下一世代產品線首款產品。

高數值孔徑 (High NA) EUV 微影曝光設備只有卡車大小，但每台成本超過 3 億歐元 (約新台幣 102 億元)。與相機一樣，高數值孔徑 (High NA) EUV 微影曝光設備將從更寬角度收集光線，解析度提高 70%。對領先半導體製造商生產先進半導體晶片是不可或缺的設備，十年內生產面積更小、性能更好的晶片。

ASML 是歐洲最大半導體設備商，主導微影曝光設備市場，微影曝光設備是半導體製造關鍵步驟，但高數值孔徑 (High NA) EUV，Peter Wennink 指有些供應商提高產能及提供適當技術遇到困難，導致延誤。但即便如此，第一批產品仍會在年底推出。

市場只有台積電、英特爾、三星、SK 海力士和美光使用 ASML 產品。目前 EUV 微影曝光設備每套價格超過 2 億美元 (約新台幣 64 億元)。美國壓力下，荷蘭政府不發給 ASML 出口中國晶片製造商 EUV 微影曝光設備許可證，使中國推動先進半體製程面臨瓶頸。

(首圖來源：ASML)