Tag Archives: 三星

HBM4 下世代 AI 記憶體大戰,三星與美光宣布出貨後展開

作者 |發布日期 2026 年 02 月 13 日 14:30 | 分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 半導體

2026 年 2 月 12 日,記憶體大廠三星電子與美光科技不約而同地宣佈,已開始出貨下一代高頻寬記憶體-HBM4。這款具備更高密度與更快速度的記憶體晶片,被視為驅動下一代 AI 加速硬體的核心動力。而兩家記憶體大廠的宣示,也正式宣告HBM4 AI記憶體的戰爭正式開打。

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HBM4 驗證將於 2Q26 完成,三大原廠供應 NVIDIA 格局有望成形

作者 |發布日期 2026 年 02 月 13 日 14:08 | 分類 AI 人工智慧 , GPU , Nvidia

TrendForce 最新 HBM 產業研究,AI 基礎建設擴張,對應的 GPU 需求也不斷成長,NVIDIA Rubin 平台量產後可望帶動 HBM4 需求。目前三大記憶體原廠的 HBM4 驗證程序進展都至尾聲,第二季陸續完成。三星憑最佳產品穩定性,將率先通過驗證,SK 海力士、美光跟上,可望形成三大廠供應 NVIDIA HBM4 格局。 繼續閱讀..

記憶體市場末日推動三大原廠增產,消費性記憶體卻要到 2028 年才見曙光

作者 |發布日期 2026 年 02 月 12 日 14:00 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 國際貿易

全球電腦硬體市場正面臨一場被業界稱為 「記憶體末日」(RAMpocalypse) 的嚴峻挑戰。儘管全球三大記憶體製造商,包括美光(Micron)、SK 海力士(SK Hynix)和三星(Samsung)均已啟動大規模的新廠建設計畫。但根據外媒引述 IEEE Spectrum 的最新分析指出,這些擴產動作主要受到人工智慧(AI)需求的驅動,對於一般消費者引頸期盼的電腦記憶體(DRAM)價格回穩,恐怕要等到 2028 年甚至更久之後才能看見曙光。

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輝達 HBM4 訂單落空?美光財務長反駁,通過認證還提前出貨

作者 |發布日期 2026 年 02 月 12 日 7:15 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

正當外界聚焦於輝達 (NVIDIA) 下一代旗艦 AI 系統的規格之際,知名半導體供應鏈分析機構 Semianalysis 發布的最新報告中,直指美光科技(Micron)在關鍵的 HBM4(第四代高頻寬記憶體)競爭中「全軍覆沒」。然而,這份報告發布後不久,美光科技財務長 Mark Murphy 便在公開場合釋出關鍵訊息,表示不僅 HBM4 已開始出貨,更強調已通過 NVIDIA 認證。

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輝達 Vera Rubin VL72 機架式解決方案 HBM4 由 SK 海力士與三星瓜分,美光遭排除

作者 |發布日期 2026 年 02 月 09 日 18:30 | 分類 AI 人工智慧 , GPU , 伺服器

輝達(NVIDIA)即將推出的次世代 AI 系統「Vera Rubin」,再次攪動了全球記憶體供應鏈的布局。根據 TechPowerUp 的報導,即將於 2026 年夏末出貨的旗艦級 VR200 NVL72 機架式解決方案,在關鍵的 HBM4(第四代高頻寬記憶體)供應商選擇上出現了重大變動。原先備受期待的美光科技(Micron)未能在此輪競爭中取得 HBM4 的認證,該領域的供應將由 SK 海力士(SK hynix)與三星電子(Samsung)瓜分。然而,這並不代表美光完全退出了 NVIDIA 的新一代生態系,雙方的合作重心已轉移至處理器(CPU)端的記憶體解決方案。

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三星 2 月量產 HBM4 記憶體,搶攻輝達下代 AI 晶片訂單

作者 |發布日期 2026 年 02 月 09 日 10:20 | 分類 GPU , Nvidia , Samsung

三星電子計劃於今年 2 月下旬開始量產全球首款第六代高頻寬記憶體(HBM4)晶片,這個消息來自業界消息人士。根據報導,三星將在農曆新年假期後的下週開始出貨 HBM4 晶片,這些晶片將用於輝達(Nvidia)公司的圖形處理單元(GPU),而 Nvidia 的 GPU 在生成式人工智慧(AI)系統中被廣泛應用。 繼續閱讀..

Galaxy S26 系列仍不內建 Qi2 磁吸?原廠殼出現磁吸與非磁吸版本

作者 |發布日期 2026 年 02 月 03 日 13:06 | 分類 Android 手機 , Samsung

多項爆料顯示,三星新一代旗艦手機 Galaxy S26 系列在無線充電規格上,可能不會導入原生 Qi2 磁吸設計。據荷蘭手機比價網站《Nieuwemobiel》爆料,三星已為 Galaxy S26 系列準備原廠保護殼,其中同時包含磁吸與非磁吸版本,進一步引發市場對於該系列手機本體是否內建磁鐵的討論。

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中國長江存儲提前開新產能,分析師:仍難扭轉 NAND 供給吃緊

作者 |發布日期 2026 年 02 月 02 日 11:00 | 分類 中國觀察 , 半導體 , 國際貿易

近期市場傳出中國記憶體大廠長江存儲(YMTC)可能將原定於 2027 年開出的新產能,提前至 2026 年下半年量產。部分觀點推論,此舉或許能為緊繃的全球 NAND Flash 供給帶來緩解,並抑制價格漲勢。然而,根據市場分析師深入分析產業供給面的結構性限制與 AI 帶動的爆發性需求,單一原廠的擴產行動恐怕難以扭轉全球 NAND 供給緊張與漲價的結構性缺貨趨勢。

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搶 2026 年NAND Flash 市場商機,中國長江存儲武漢三期將提早在下半年量產

作者 |發布日期 2026 年 01 月 30 日 15:30 | 分類 IC 設計 , 中國觀察 , 半導體

外媒報導,全球半導體競爭日趨白熱化的背景下,中國最大的 NAND Flash 快閃記憶體製造商──長江存儲(YMTC)正以驚人的速度推進其產能擴張計畫。據最新消息指出,長江存儲位於中國武漢的第三期投資項目正採取「史無前例」的快速建設策略,原定於2027年才能達成的大規模量產目標,有望提前至2026年下半年正式啟動。

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