Tag Archives: SK 海力士

輝達 HBM4 訂單落空？美光財務長反駁，通過認證還提前出貨
作者 |發布日期 2026 年 02 月 12 日 7:15 |
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分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

正當外界聚焦於輝達 (NVIDIA) 下一代旗艦 AI 系統的規格之際，知名半導體供應鏈分析機構 Semianalysis 發布的最新報告中，直指美光科技（Micron）在關鍵的 HBM4（第四代高頻寬記憶體）競爭中「全軍覆沒」。然而，這份報告發布後不久，美光科技財務長 Mark Murphy 便在公開場合釋出關鍵訊息，表示不僅 HBM4 已開始出貨，更強調已通過 NVIDIA 認證。

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輝達 Vera Rubin VL72 機架式解決方案 HBM4 由 SK 海力士與三星瓜分，美光遭排除
作者 |發布日期 2026 年 02 月 09 日 18:30 |
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分類 AI 人工智慧 , GPU , 伺服器

輝達（NVIDIA）即將推出的次世代 AI 系統「Vera Rubin」，再次攪動了全球記憶體供應鏈的布局。根據 TechPowerUp 的報導，即將於 2026 年夏末出貨的旗艦級 VR200 NVL72 機架式解決方案，在關鍵的 HBM4（第四代高頻寬記憶體）供應商選擇上出現了重大變動。原先備受期待的美光科技（Micron）未能在此輪競爭中取得 HBM4 的認證，該領域的供應將由 SK 海力士（SK hynix）與三星電子（Samsung）瓜分。然而，這並不代表美光完全退出了 NVIDIA 的新一代生態系，雙方的合作重心已轉移至處理器（CPU）端的記憶體解決方案。

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SK 海力士加速 HBM4 量產布局，因應輝達 Vera Rubin 供貨需求
作者 |發布日期 2026 年 02 月 04 日 16:53 |
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分類 半導體 , 記憶體

根據韓國媒體報導，SK 海力士 正加速推進第六代  HBM4 量產計畫，因應輝達次世代 AI 加速器「Vera Rubin」即將到來的供貨需求。隨著雙方針對 HBM4 的品質驗證進入收尾階段，SK 海力士同步啟動 10 奈米級第五代（1b）DRAM 的量產準備，強化後續放量出貨能力。 繼續閱讀..

中國長江存儲提前開新產能，分析師：仍難扭轉 NAND 供給吃緊
作者 |發布日期 2026 年 02 月 02 日 11:00 |
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分類 中國觀察 , 半導體 , 國際貿易

近期市場傳出中國記憶體大廠長江存儲（YMTC）可能將原定於 2027 年開出的新產能，提前至 2026 年下半年量產。部分觀點推論，此舉或許能為緊繃的全球 NAND Flash 供給帶來緩解，並抑制價格漲勢。然而，根據市場分析師深入分析產業供給面的結構性限制與 AI 帶動的爆發性需求，單一原廠的擴產行動恐怕難以扭轉全球 NAND 供給緊張與漲價的結構性缺貨趨勢。

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SK 海力士斥資百億美元，美國成立人工智慧解決方案企業
作者 |發布日期 2026 年 01 月 28 日 20:40 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

根據韓國記憶體大廠 SK海力士（SK hynix Inc.）發出的訊息指出，將在美國成立一家專注於人工智慧（AI）解決方案的子公司，暫定名為「AI Company」（AI Co.），以尋找新的AI成長動力。此舉代表著該公司在全球AI競賽中邁出了關鍵一步，目的在利用其在半導體領域的領先地位，深入佈局AI數據中心生態系統。

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記憶體市場供不應求，SK 海力士 2025 年營收再創歷史新高
作者 |發布日期 2026 年 01 月 28 日 16:40 |
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分類 半導體 , 記憶體 , 財報

韓國記憶體大廠SK海力士發佈截至2025年12月31日的2025財年及第四季財務報告。公司2025財年營收為97.1467兆韓圜，營業利益為47.2063兆韓圜，營業利潤率為49%，淨利潤為42.9479兆韓圜，淨利率為44%。SK海力士表示，此次業績遠超2024年創下的歷史最高記錄，營收年成長逾30兆韓圜，營業利潤也達到翻倍增長，刷新了歷史最高年度業績。

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美光新加坡擴產外資均看好，上調目標價帶動股價上漲超過 6%
作者 |發布日期 2026 年 01 月 28 日 9:00 |
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分類 半導體 , 記憶體 , 證券

美國記憶體大廠美光科技（Micron Technology）於週二正式宣佈，其位於新加坡、總投資額約240億美元的先進晶圓製造設施已正式動土開工。此舉不僅顯示出美光對於解決全球記憶體供應短缺問題的決心，更向市場傳遞了一個強烈訊號，那就是由人工智慧（AI）激增需求所帶動的供應鏈限制，預計將繼續延續。受此消息激勵，美光股價週二收盤大漲超過6%，反映出投資人對該公司新設施及其維持定價能力的強大信心。

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韓廠減產 NAND 催動價格飆漲，群聯、點序、威剛等受惠
作者 |發布日期 2026 年 01 月 22 日 8:10 |
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分類 Samsung , 晶片 , 記憶體

三星、SK 海力士將既有產能全力衝刺生產高階 DRAM 及高頻寬記憶體（HBM），大舉排擠儲存型快閃記憶體（NAND Flash）產出，兩大廠今年同步大砍 NAND 晶片產量，三星全年產量甚至比先前景氣低迷時還少，將使得全球 NAND 晶片市場持續供不應求，價格再度狂飆。 繼續閱讀..

持續利益最大化，三星與 SK 海力士 2026 年要減產 NAND Flash
作者 |發布日期 2026 年 01 月 20 日 14:00 |
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分類 Samsung , 半導體 , 記憶體

在全球人工智慧 （AI） 競賽如火如荼展開、對高效能運算需求爆炸性增長的當下，掌握全球 NAND Flash（快閃記憶體） 市場超過 60% 市佔率的韓國兩大企業-三星電子 （Samsung Electronics） 與 SK 海力士 （SK Hynix），卻傳出將在 2026 年進一步縮減產量的消息。這一決策恐將導致伺服器、個人電腦 （PC） 及行動裝置等全領域面臨供應吃緊的局面，但也預告著記憶體大廠的獲利結構將迎接顯著改善。

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南亞科第四季財報優於預期，大摩給予優於大盤的 298 元目標價
作者 |發布日期 2026 年 01 月 20 日 9:40 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

外資大摩（Morgan Stanley，摩根士丹利）發布最新研究報告，對台灣記憶體大廠南亞科維持「優於大盤」（Overweight）投資評等，並給予目標價新台幣 298 元。大摩指出，受惠於三大原廠退出 DDR4 市場以及 AI 帶動的伺服器需求，記憶體產業正步入超級週期」，DDR4 的供應短缺預計將延續至 2027 年，南亞科將成為這波供需失衡下的最大受惠者。

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