東芝超車三星,擬於 Q3 生產 64 層 NAND Flash

作者 | 發布日期 2016 年 07 月 20 日 17:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly
MDJ新聞 配圖

三星電子的 3D NAND Flash 霸主寶座出現危機?三星是第一家開發出 3D NAND Flash 業者,技術遙遙領先,不過據傳日廠東芝(Toshiba)砸重金研發後,情勢一夕驟變,東芝即將超車三星,成為首家生產 64 層 3D NAND Flash 的廠商。



BusinessKorea 20 日報導,2013 年三星電子率先製造 3D NAND,東芝直到今年春天才加入生產行列,不過卻以光速追上對手,計劃今年第三季生產全球首見的 64 層 3D NAND Flash,比三星快了一季。

64 層 3D NAND Flash 極為重要,業界認為 64 層 3D NAND Flash 的出現,代表平面 NAND Flash 時代劃上句點。3D NAND Flash 採垂直堆疊,可提高記憶體容量和速度,表現優於平面 NAND Flash。

儘管東芝來勢洶洶,半導體專家指出,東芝和三星仍有技術差距,兩家公司最大不同在於控制閘(control gate)技術,三星採用 TANOS、東芝使用 SONOS。據稱東芝的技術便於多層堆疊,但是缺點在於製程較為複雜、生產力較低。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

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