三星宣布量產第 2 代 10 奈米 FinFET 製程,產品 2018 年首季問世

作者 | 發布日期 2017 年 11 月 29 日 12:27 | 分類 Samsung , 晶片 , 處理器 follow us in feedly

南韓科技大廠三星電子於 29 日宣布,已經開始大規模量產以第 2 代 10 奈米(nm)FinFET 製程技術(10LPP)為基礎的單晶片系統(SoC)產品,搭配該單晶片系統的電子產品,也預計在 2018 年首季問市。




三星表示,針對低功耗產品研發的第 2 代 10 奈米 FinFET 製程技術,相較於第 1 代 10 奈米 FinFET 製程技術(10LPE),10LPP 的製程可使性能提高 10%,功耗降低 15%。由於該製程延續已量產的 10LPE 製程,所以將可大幅縮短從開發到大量生產的準備時間,並提供更高的初期生產良率,因此更具競爭優勢。

三星進一步表示,採用 10LPP 製程技術製造的單晶片系統產品,預計將於 2018 年首季推出相關電子產品。三星電子代工市場行銷副總裁 Ryan Lee 表示,透過從 10LPE 製程向 10LPP 製程邁進,三星將更能為客戶提供服務,同時提高性能,提高初期產量。

另外,三星還同時宣布,位於南韓華城的最新 S3 生產線,目前正準備加速生產 10 奈米及其以下製程技術。S3 是三星晶圓代工業務的第 3 座晶圓廠,其它 2 座分別是位於南韓京畿道的器興(Giheung)的 S1,以及位於美國奧斯汀的 S2。根據規畫,三星的 7 奈米 FinFET 製程技術與 EUV(Extreme Ultra Violet)技術也預計將在 S3 晶圓廠於 2018 年開始大量生產。

(首圖來源:三星官網)