三星拚半導體戰力升級,4 年擬砸逾 20 兆韓圜

作者 | 發布日期 2018 年 01 月 04 日 15:40 | 分類 Samsung , 晶片 , 記憶體 follow us in feedly

三星看好半導體景氣持續往上走,2 日宣布未來 4 年將砸下逾 20 兆韓圜,或相當於 190 億美元投資旗下半導體事業。



三星兩年前耗資 15.6 兆韓圜在南韓平澤市打造新記憶體廠,新廠當日才剛正式投產,三星已計劃 2021 年內再額外投入 14.4 兆韓圜(約 125 億美元)擴廠。(美聯社)

三星還計劃投資位於華城的記憶體園區 6 兆韓圜。與此同時,三星也考慮增加中國西安半導體廠的產能。

IHS Markit 數據顯示,2017 年全球 DRAM 產值跳增 72%,來到 722 億美元,2018 年預估將進一步擴增至 844 億美元,年增率達 16.9%。(Koreaherald.com)

NAND 快閃記憶體 2017 年成長 46.2%、成為 538 億美元,今年預估擴增至 592 億美元。產業資訊顯示,3D NAND 快閃記憶體占三星快閃記憶體出貨比重,2017 年第四季已超過八成,今年底預估將超越九成。(businesskorea.com)

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/DennisM2 CC BY 2.0)

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