三星拚半導體戰力升級，4 年擬砸逾 20 兆韓圜

三星看好半導體景氣持續往上走，2 日宣布未來 4 年將砸下逾 20 兆韓圜，或相當於 190 億美元投資旗下半導體事業。

三星兩年前耗資 15.6 兆韓圜在南韓平澤市打造新記憶體廠，新廠當日才剛正式投產，三星已計劃 2021 年內再額外投入 14.4 兆韓圜（約 125 億美元）擴廠。（美聯社）

三星還計劃投資位於華城的記憶體園區 6 兆韓圜。與此同時，三星也考慮增加中國西安半導體廠的產能。

IHS Markit 數據顯示，2017 年全球 DRAM 產值跳增 72%，來到 722 億美元，2018 年預估將進一步擴增至 844 億美元，年增率達 16.9%。（Koreaherald.com）

NAND 快閃記憶體 2017 年成長 46.2%、成為 538 億美元，今年預估擴增至 592 億美元。產業資訊顯示，3D NAND 快閃記憶體占三星快閃記憶體出貨比重，2017 年第四季已超過八成，今年底預估將超越九成。（businesskorea.com）

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：Flickr/DennisM2 CC BY 2.0）