2017 年 DRAM 整體產值年增 76%,估 2018 年成長率將逾三成

作者 | 發布日期 2018 年 02 月 13 日 14:00 | 分類 Samsung , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMe Xchange)調查顯示,2017 年第四季 DRAM 產業營收表現再創歷史新高。價格方面來看,受行動式記憶體接棒漲價帶動,以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應,以三星為首的 DRAM 廠拉抬行動式記憶體報價,帶動行動式記憶體在第四季有 5%~20% 不等的漲幅(取決於不同的容量),其餘各類 DRAM 產品合約價亦普遍較前季再上漲約 5%~10%。2017 年第四季 DRAM 產值較上季再成長 14.2%,全年產值成長率達 76%。



DRAMeXchange 資深研究協理吳雅婷指出,展望 2018 年第一季,PC-OEM 廠已陸續議定合約價格,就一線大廠訂價來看,PC DRAM 均價已來到 33 美元,較上一季平均漲幅約達 5%;以北美四大網路服務提供業者為首的資料中心拉貨動能仍強,帶動本季伺服器記憶體價格上漲 3%~5%。至於智慧型手機第一季買氣較原先預期低迷,加上 NAND 跌價與中國發改委因素影響,行動式記憶體價格漲幅較先前收斂,平均價格小幅上漲約 3%。整體產值來看,DRAMeXchange 預估,2018 年 DRAM 產業產值將成長超過三成,規模達 960 億美元。

觀察各廠 2017 年第四季營收表現,三星依然穩坐 DRAM 產業龍頭,營收達 101 億美元,較上季成長 14.5%,再度創下歷史新高;SK 海力士營收衝至 63 億美元,較前季成長 14.1%,兩大韓廠的市占率各為 46.0% 與 28.7%,合計已囊括 74. 7% 市占率;美光集團仍舊維持第三,營收達 46 億美元,季增 13.4%,市占 20.8%。

受到價格持續上漲以及製程微縮所帶來的成本效益,三星第四季營業利益率再度改寫歷史新高,由 62% 上升至 64%;SK 海力士亦從第三季的 56% 再提升至 59%;美光則從 50% 拉升至 53%。展望 2018 年第一季,受惠於 DRAM 價格持續上漲與製程轉進所帶來的成本效益,三大廠在營收表現上可望再創新猷,各家獲利率也可望進一步提升。

三星開啟新一波擴產計畫,SK 海力士 2019 年開出新產能計畫不變

從技術面來看,三星今年的目標除了持續提升 18nm 製程產出比重外,為期近兩年 DRAM 漲價帶動 DRAM 供應商高獲利,以及中國潛在競爭者加入,也讓三星決定展開新一波擴產計畫,將原本規劃做 NAND Flash 的平澤廠 2 樓空間投入生產 DRAM,一方面因應 DRAM 供給吃緊狀況,另一方面藉由減少未來 NAND Flash 投片量,來抑制 NAND Flash 的跌價速度,DRAMeXchange 指出,此舉對整體記憶體產業屬健康發展,並非壞事。

此外,SK 海力士去年底開始導入 18nm 生產,但進入 1Xnm 世代製程難度高、轉換不易,SK 海力士目前仍致力於提升 18nm 良率;擴廠計畫則維持不變,SK 海力士最快要到 2019 年才會在中國無錫新建的第二座 12 吋廠看到產能開出。美光在技術布局方面,台灣美光記憶體(原瑞晶)17nm 目前產出比重已超過九成,預計今年第二季初將完成轉換,而台灣美光晶圓科技(原華亞科)計畫今年中開始進行 20nm 往 17nm 轉換, 預計今年底可望有一半產能轉往 17nm 生產,並於明年上半年全數導入。

台系廠商部分,南亞科第四季營收較前一季大幅成長 26.9%,主要歸功於 20nm 轉換良率超乎預期,以及價格持續走揚帶動。20nm 的成本效益拉升營業利益率至 38.9%,較前一季成長 7 個百分點。展望未來,由於該公司 20nm 良率繼續提升,將會持續改善其成本結構,增加獲利空間。

力晶科技方面,2017 年第四季 DRAM 營收季持平,主要還是替晶豪科、愛普等 IC 設計業者代工的獲利較佳,力晶本身 DRAM 產能轉向更高毛利的產品;華邦方面 DRAM 營收則下滑 2.2%,主因為 DRAM 產能受 NOR Flash 產能壓縮導致。

(首圖來源:shutterstock)