台積電 3 奈米製程電晶體數約 2.5 億個,2022 下半年量產

作者 | 發布日期 2020 年 04 月 20 日 17:15 | 分類 晶圓 , 晶片 , 處理器 Telegram share ! follow us in feedly


就在上週,台積電在 2020 年第 1 季法人說會宣布,台積電 3 奈米製程將在 2021 年試產,並在 2022 下半年正式量產之際,也同時宣布 3 奈米製程將仍採仍採原有的 FinFET(鰭式場效電晶體),不採與競爭對手三星相同的 GAA(環繞閘極電晶體)。而為何台積電的 3 奈米將持續採 FinFET 的原因,是不是因為良率或成本的因素。對此,台積電並沒有給答案。

台積電原定在 4 月 29 日於北美技術論壇發表的相關 3 奈米技術細節,目前因疫情的關係,將延後到 8 月召開。因此,預計台積電 3 奈米製程仍採原有的 FinFET ,不採與競爭對手三星相同的 GAA 的原因,屆時會有比較清楚的了解。不過,對台積電 3 奈米的效能,現在國外媒體就已有所報導,指稱台積電 3 奈米製程的每平方公釐電晶體數量可能低於 3 億個,也就是約在 2.5 億個。

根據國外科技媒體《Gizchina》報導指出,過去採用台積電 7 奈米 EUV 加強版製程的華為麒麟 990 處理器,晶片大小為 113.31 平方公釐,電晶體數量為 103 億個,平均每平方公釐約為 9,000 萬個。而在 3 奈米製程技術的電晶體數量至少為 7 奈米製程的 3 倍情況下,將使得 3 奈米製程晶片的電晶體數量將大約為每平方公釐 2.5 億個左右,而這樣的先進製程足以將過去的 Pentium 4 處理器縮小到如一根針大小。

報導進一步指出,之前台積電總裁魏哲家就曾經表示,3 奈米製程是在 5 奈米製程之後,在製程技術的完整世代技術跨越,相較第一代 5 奈米製程技術,第一代的 3 奈米製程技術的電晶體密度將提升約 70%,預算速度提升 10% 到 15%,能耗降低 15%,使得晶片的整體性能提升 25%~30%,這使得 3 奈米製程技術將進一步達成台積電在晶片製造技術方面的領導地位。

之前,外媒曾經在 2019 年 10 月報導表示,台積電生產 3 奈米製程的工廠已經開始建設,工廠占地 50~80 公頃,預計花費 195 億美元。對此,在日前台積電的法說會上,魏哲家也強調 3 奈米製程技術的研發正在按計畫進行中,預計 2021 年進行試產,而最終的目標是在 2022 年下半年大規模量產。而對於 3 奈米製程將仍採仍採原有 FinFET,不採與競爭對手三星相同的 GAA,雖然外傳台積電是基於成本與良率因素,但台積電並沒有明確說明。不過此問題預計延後於 8 月舉行的北美技術論壇將明確公布。

(首圖來源:台積電)