看準台積電大幅採用 EUV，科磊推電子束圖案化晶圓缺陷檢測

就在晶圓代工龍頭台積電已經進入 5 奈米製程量產，並且大量採用極紫外光刻設備（EUV）的情況下，美商半導體設備商科磊（KLA）於 21 日宣布，推出革命性的 eSL10 電子束圖案化晶圓缺陷檢測系統。透過該項新的檢測系統，可以發現相關光學或其他電子束缺陷檢測系統無法穩定偵測的缺陷，藉此以加快高性能邏輯和記憶體晶片，其中包括那些依賴於極紫外光刻（EUV）技術的晶片的上市時間。