看準台積電大幅採用 EUV,科磊推電子束圖案化晶圓缺陷檢測

作者 | 發布日期 2020 年 07 月 21 日 18:30 | 分類 國際貿易 , 晶圓 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


就在晶圓代工龍頭台積電已經進入 5 奈米製程量產,並且大量採用極紫外光刻設備(EUV)的情況下,美商半導體設備商科磊(KLA)於 21 日宣布,推出革命性的 eSL10 電子束圖案化晶圓缺陷檢測系統。透過該項新的檢測系統,可以發現相關光學或其他電子束缺陷檢測系統無法穩定偵測的缺陷,藉此以加快高性能邏輯和記憶體晶片,其中包括那些依賴於極紫外光刻(EUV) 技術的晶片的上市時間。

科磊指出,過去的電子束檢測系統僅能提供使用者選擇偵測供靈敏度或速度,這嚴重限制了其實際應用。而 eSL10 採用全新設計,採用了多年研發的多項突破性技術,可提供高解析和高速的缺陷檢測,其性能是市場中任何其他電子束系統都無法比擬的。如此,可以解決現有檢測儀無法解決的問題,這也使得科磊的新型電子束檢測儀成為尖端半導體零件製造生產中至關重要的設備之一。

科磊進一步解釋,eSL10 電子束檢測系統採用多項革命性技術,使其有能力填補目前關鍵缺陷檢測的空白。例如,獨特的電子光學設計可提供業內最廣泛的操作範圍,可捕獲各種設備製程中的缺陷。還有,Yellowstone 掃描模式,在每次掃描中收集 100 億畫素的資料並支持高速運算同時又不會影響解析度,這樣可以在廣闊的區域內有效地計算偵測可疑熱點或發現缺陷。

另外,Simul-6 感測器技術通過一次掃描即可收集表面、形貌、材料對比度和溝槽深度等資訊,減少了在具有挑戰性的結構和材料中識別不同缺陷類型所需的時間。而憑藉其搭配的先進人工智慧(AI)系統,eSL10 能採用深度學習演算法,針對 IC 製造商不斷發展的檢測要求進行調整,並將產品性能最關鍵的缺陷分離出來。

至於,在當前的 3D 產品架構中,包括用於記憶體的 3D NAND 和 DRAM,以及用於邏輯的 finFET 和閘極全環 (GAA) 晶體管,都使得晶圓廠需要重新考慮傳統的缺陷控制策略。而 eSL10 與科磊的 39xx(Gen5)和 29xx(Gen4)頻寬光學晶片缺陷檢測系統相結合,為先進 IC 技術提供了缺陷檢測和監控解決方案。藉由這些系統組合,使用者將可以提高良率和可靠性、更快發現關鍵缺陷,並能夠更快地解決從研發到生產的缺陷問題。

另外,科磊還強調,eSL10 架構內置可擴充性,可以在整個電子束檢測和量測領域內延伸其應用。而目前全球已有邏輯、記憶體和代工製造商採用 eSL10 系統,並用於協助開發、提升和監測新一代製程和產品製造。

(首圖來源:科磊)