SK 海力士第 4 代 10 奈米級 EUV 技術 DRAM 預計 2021 年量產 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2020 年 06 月 01 日 16:30 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 零組件 |
就在當前因為市場不確定因素增加，以及武漢肺炎疫情恐將影響記憶體後續市場發展的情況下，主要記憶體廠商皆不輕易擴增產能，反而以優化製程技術的方式來增加其供應的能力。因此，根據南韓媒體報導，記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 的相關內部人士透露，該公司已開始研發第 4 代 10 奈米級製程 (1a) 的 DRAM，內部代號為「南極星」 (Canopus)，而且預計將在製程中導入 EUV 曝光技術。
首款通過 NASA 驗證 DDR4 記憶體問世，可耐劇烈高低溫差與抵抗輻射 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2020 年 05 月 29 日 16:45 | 分類 尖端科技 , 航太科技 , 記憶體 |
日前，FPGA 大廠賽靈思（Xilinx）宣布推出業界首款 20 奈米航太規格 FPGA，為衛星和太空應用提供全面的抗輻射性、超高傳輸量與頻寬效能，現在業界首款獲得美國太空總署（NASA）認證的 DDR4 記憶體也正式推出。這款記憶體可承受最高 125℃、最低 -55℃ 的劇烈溫度變化，並能抵抗太空輻射，符合 NASA Level 1（NASA EEE-INST-002 – Section M4 – PEMs）、ECSS Class 1（ECSS-Q-ST-60-13C）標準。
美光受惠於宅經濟宣布調高財測，帶動費半翻揚 |
| 作者 MoneyDJ|發布日期 2020 年 05 月 28 日 8:50 | 分類 記憶體 , 財報 , 財經 |
美國記憶體晶片大廠美光科技（Micron Technology Inc.）27 日向美國證券交易委員會（SEC）遞交「FORM 8-K」文件，宣布調高 2020 會計年度第 3 季財測。 繼續閱讀..
無懼疫情，傳鎧俠照計畫增產投資打造 3D NAND 新廠 |
| 作者 MoneyDJ|發布日期 2020 年 05 月 27 日 11:15 | 分類 記憶體 , 零組件 |
新型冠狀病毒（COVID-19，俗稱武漢肺炎）疫情擴散，雖導致智慧手機等產品需求萎縮，不過因來自資料中心的需求揚升，也讓全球第二大 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）廠商鎧俠（Kioxia，舊稱東芝記憶體）傳出無懼疫情影響，將如原先計畫增產投資，打造 3D NAND Flash 新廠房。 繼續閱讀..
資料中心需求大增，第一季 NAND Flash 營收成長 8.3% |
| 作者 TechNews|發布日期 2020 年 05 月 25 日 14:00 | 分類 記憶體 , 零組件 |
根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查，2020 年第一季 NAND Flash 位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷售單價上漲，
