Category Archives: 記憶體

NAND Flash 品牌商 Q2 營收季增 3.5%,惟 Q3 持續供過於求、價格將續跌近 10%

作者 |發布日期 2018 年 08 月 16 日 15:00 |
分類 Samsung , 晶片 , 記憶體

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新報告指出,NAND Flash 市場在 2018 年第一季受傳統淡季影響,導致市場轉為供過於求。第二季隨著智慧型手機需求復甦、中國智慧型手機廠商提升高容量產品的備貨力道,雖位元出貨量得以支撐,然而,NAND Flash 仍是供過於求,第二季平均價格跌幅達 15-20%。 繼續閱讀..

面對 10 奈米技術難產,Intel 主打 CPU、記憶體與軟體統合戰

作者 |發布日期 2018 年 08 月 16 日 8:00 |
分類 晶片 , 處理器 , 記憶體

8 月初美國 Data-centric Innovation Summit 大會,Intel 再度樂觀回應 10 奈米技術難產問題,穩定投資人的信心。「進入 AI 時代,客戶的需求是多元性的,沒辦法只靠 CPU 就滿足客戶所需,我們會提供『最廣泛』的產品組合與永續性的解決方案,就像過去 20 年身為領導者的我們做的,我充滿信心。」英特爾執行副總裁暨資料中心事業群總經理 Navin Shenoy 指出。 繼續閱讀..

NVIDIA 放出 12 年來最大更新:全新圖靈架構登場,全球首批即時光線追蹤 GPU 同步亮相

作者 |發布日期 2018 年 08 月 14 日 16:45 |
分類 GPU , 晶片 , 記憶體

輝達(NVIDIA)CEO 黃仁勳(Jensen Huang)在 14 日 SIGGRAPH 2018 正式發表已曝光的新一代 GPU 架構 Turing(圖靈)。同時,一系列基於圖靈架構的 GPU 包括 Quadro RTX 8000Quadro RTX 6000Quadro RTX 5000 及 Quadro RTX ServerCUDA10 也共同亮相。 繼續閱讀..

DRAM 銷售額將突破 1 千億美元,三星將穩坐半導體龍頭寶座?

作者 |發布日期 2018 年 08 月 14 日 14:27 |
分類 Samsung , 晶片 , 記憶體

持續缺貨和價格上漲的背景下,近日半導體市場研究機構 IC Insights 最新報告預測,2018 年全球 DRAM 晶片產業增幅超過 30%,總產值將突破 1 千億美元大關,以 24% 市占率繼續穩居 IC 產品市場規模第一。DRAM 市場占有率最高的三星,已在去年成功超越英特爾坐上半導體龍頭寶座,能否繼續保持霸主地位? 繼續閱讀..

第二季 DRAM 營收季增 11.3% 再創新高,然價格高點已近

作者 |發布日期 2018 年 08 月 13 日 14:05 |
分類 Samsung , 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,2018 年第二季由於供給吃緊情況延續,帶動整體 DRAM 報價走揚,DRAM 總營收較上季成長 11.3%,再創新高。除了繪圖用記憶體(graphic DRAM)仍受惠於虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫,帶動價格有 15% 顯著上漲外,其餘各應用別的記憶體季漲幅約在 3% 左右。 繼續閱讀..

受惠出售旗下最賺錢半導體業務,東芝 2018 年第 2 季財報優於預期

作者 |發布日期 2018 年 08 月 08 日 16:40 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財報

日本科技大廠東芝 (Toshiba) 於 8 日公佈其 2018 年第 2 季的財報。根據財報顯示,受惠於 2018 年之前將旗下半導體業務以 180 億美元出售給美國私募基金公司貝恩資本 (Bain Capital) 領軍的 「美日韓」 聯盟,使得東芝在 2018 年第 2 季的獲利創下歷史新高紀錄。

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三星宣布量產 4-Bit QLC SSD 固態硬碟,最高容量達到 4TB

作者 |發布日期 2018 年 08 月 07 日 11:30 |
分類 Samsung , 記憶體 , 零組件

近期以來,在快閃記憶體(Nand Flash)市場競爭激烈的情況下,各家廠商開始尋求新技術的產品來滿足市場的需求。因此,廠商們都開始將目光轉向了 QLC 架構的快閃記憶體上。之前包括英特爾(Intel)、美光(Micron)、威騰電子(WD)、東芝(Toshiba)等大廠就已經宣布推出了 QLC 架構的快閃記憶體,現在三星也正式宣布量產首款搭載 QLC 快閃記憶體的 SSD。

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聯電攜手美商,合作技術開發 MRAM 及 28 奈米相關產品

作者 |發布日期 2018 年 08 月 07 日 10:30 |
分類 記憶體 , 零組件

聯電 6 日與 ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻 RAM)廠商美商 Avalanche 共同宣布,兩家公司將成為合作伙伴,共同開發和生產取代嵌入式記憶體的磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)。同時聯電也將透過 Avalanche 的授權提供技術給其他公司,並透過授權提供客戶具有成本效益的 28 奈米嵌入式非揮發性 MRAM 技術。 繼續閱讀..