Tag Archives: 武漢新芯

中國記憶體國家隊豪言:2020 年追上世界級大廠

作者 |發布日期 2017 年 01 月 16 日 19:21 |
分類 記憶體

中國半導體國家隊紫光集團與武漢新芯在日前合併,組成長江存儲全力發展記憶體,其傾國家之力建設的國家記憶體基地也於 2016 年底動工,中國記憶體之路到底走到什麼境地?從前武漢新芯執行長、現任長江存儲執行長楊士寧參與技術論壇的言論,或能透露更多端倪。 繼續閱讀..

紫光續擴張!趙偉國喊今年再砸 460 億美元,成都、南京建晶圓廠

作者 |發布日期 2017 年 01 月 11 日 11:56 |
分類 晶片

中國紫光集團近年來擴張頻頻,談併購、挖人才、建廠擴產能沒在手軟,紫光偕旗下長家存儲興建的國家記憶體基地 240 億美元投資案才在日前動工,現在紫光董事長趙偉國又宣布,未來一年將再砸 460 億在中國成都、南京各建一座晶圓廠。 繼續閱讀..

中國記憶體搶人大戰戰火升高,華亞科成挖角大本營

作者 |發布日期 2016 年 12 月 19 日 13:03 |
分類 人力資源 , 記憶體

先前科技新報報導,中國發展記憶體三大勢力已然成形,挖角南亞科、華亞科人才也不手軟,紫光、武漢新芯陣營組成的長江存儲有前華亞科董事長高啟全、南亞科退休副總施能煌;合肥長鑫/兆易創芯團隊有前華亞科資深副總劉大維;和福建晉華集成合作開發 DRAM 製程的聯電,則由瑞晶前總經理、現任聯電資深副總經理陳正坤領軍,DRAM 搶人才大戰仍在持續。 繼續閱讀..

中國目標 2020 年晶片自給率達 40%,長江存儲豪言要包其中四分之一

作者 |發布日期 2016 年 08 月 31 日 12:22 |
分類 晶片

統籌中國記憶體擘劃的武漢新芯新廠基地在今年 3 月盛大舉行動土,宣告中國本土記憶體發展邁開大步,近期武漢新芯與紫光進一步合體共同建立長江存儲公司,不只紫光董事長趙偉國兼任長江存儲董事長,大基金總經理丁文武更出任副董事長,中國高層對此案重視程度可見一斑,從產能規劃來看,長江存儲在中國晶片自給也佔了重要角色。 繼續閱讀..

高啟全出手,台灣 DRAM 產業恐現逾百人才出走潮

作者 |發布日期 2016 年 08 月 26 日 10:21 |
分類 晶片

台灣 DRAM 戰將、前華亞科董事長高啟全在去年跳槽中國紫光集團震撼業界,而今赴中國未滿一年,高啟全名字漸漸消失在產業新聞版面,就連先前紫光與武漢新芯合體設立長江存儲,也未聞高啟全消息,不過,根據科技新報取得的資訊,高啟全不只任長江存儲營運長,更謀劃大挖台灣人才,在幾位幹部跳槽過去後,會不會連帶出現台灣 DRAM 人才出走潮同令業界擔憂。 繼續閱讀..

武漢新芯跟紫光證實合體!高層名單赫見大基金丁文武

作者 |發布日期 2016 年 08 月 01 日 13:36 |
分類 晶片

日前調研機構集邦科技才指出,紫光將於武漢成立新公司,武漢新芯擬併入紫光旗下,透過紫光擘劃整體記憶體產業發展,當時公司名稱曝光,雙方合組新公司名為「長江存儲科技有限責任公司」,消息出來不到一週,今 8 月 1 日官方正式公布該項消息,且合體名稱也一如傳聞。 繼續閱讀..

武漢新芯與紫光集團聯手,中國 NAND Flash 產業邁入新章

作者 |發布日期 2016 年 07 月 27 日 15:30 |
分類 晶片 , 零組件

紫光集團預計於武漢成立長江儲存科技,未來將納入武漢新芯並統籌旗下一切記憶體發展項目,目前整體規劃朝向 NAND Flash 產業發展。TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 研究協理楊文得表示,紫光集團與武漢新芯聯手,使中國記憶體產業發展進入新章,可望為後續中國布建自主性記憶體產業帶來進展。中國業者近一年來藉布局記憶體產業所展現的規劃力、執行力與彈性均不容小覷,未來一舉一動都將牽動全球記憶體產業格局。 繼續閱讀..

武漢新芯將併入紫光集團旗下,掌權之爭由趙偉國出線

作者 |發布日期 2016 年 07 月 27 日 14:29 |
分類 晶片

先前科技新報獨家揭露,統籌中國記憶體產業發展的武漢新芯將與紫光集團攜手合作,並有望獲得美光在 NAND Flash 的協助,現在事情再有新進展,根據調研機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 說法,紫光將於武漢成立新企業,未來武漢新芯將併入旗下,據科技新報取得的消息,最終由紫光集團董事長趙偉國將出線掌舵新事業。 繼續閱讀..

中國武漢新芯發展 3D NAND 用飛的?分析師:2018 量產 48 層堆疊

作者 |發布日期 2016 年 05 月 10 日 14:45 |
分類 晶片

武漢新芯記憶體生產基地在 3 月正式啟動,目標在 2030 年成為月產能百萬片的半導體巨人,科技新報先前曾發表專文,闡述武漢新芯發展記憶體的難點,不過,現在有花旗分析師認為,武漢新芯 2017 年可完成 48 層 3D NAND Flash 生產驗證,到 2018 年就能量產。 繼續閱讀..

3 月底武漢新芯新廠動土儀式,中國 NAND Flash 產業邁入新紀元

作者 |發布日期 2016 年 03 月 21 日 19:00 |
分類 中國觀察 , 晶片 , 零組件

中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程,目標最快在 2018 年年初開始生記憶體晶片,初期規劃將以目前最先進的 3D-NAND Flash 為主要策略產品,代表了近兩年來中國極力發展記憶體產業的態勢下,將開始進入新的里程碑。TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 研究協理楊文得指出,現階段武漢新芯主要以生產 NOR Flash 為主,月產能約為 2 萬片左右,在 NAND Flash 產業也展現強大的企圖心。 繼續閱讀..