SK 海力士追上三星成全球第二，量產 20 奈米 DRAM

SK 海力士終於趕上三星電子，成為全球第二家成功量產 20 奈米 DRAM 的廠商。該公司也力拚 3D NAND Flash 研發，期盼能在明年量產 48 層 3D NAND。

BusinessKorea 15 日報導，SK 海力士人員受訪表示，該公司引入 20 奈米 DRAM 製程，過程雖有困難，但已經穩定，開始寄送樣品給客戶、進入量產。據此而言，SK 海力士是世界第二家量產 20 奈米 DRAM 的業者。三星首開先例，去年 3 月就量產 20 奈米 DRAM。

SK 海力士也宣布 3D NAND 研發計畫，社長朴星昱（Park Sung-wook）表示，計劃今年逐步發展 36 層 3D NAND，明年全面量產 48 層 3D NAND，和三星較勁的意味濃厚。三星電子 8 月 10 日宣布，第三代 V-NAND 已正式量產，以 48 層 3-bit MLC 堆疊。

據傳該公司有意拓展系統半導體業務，Park 說，這無法短時間內能辦到，需要進一步提升能力，若不如此連購併都難以進行，將先發展內部實力，包括晶圓代工等，再來考慮下一步。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載）