南韓科技大廠三星電子於 29 日宣布，已經開始大規模量產以第 2 代 10 奈米（nm）FinFET 製程技術（10LPP）為基礎的單晶片系統（SoC）產品，搭配該單晶片系統的電子產品，也預計在 2018 年首季問市。
三星表示，針對低功耗產品研發的第 2 代 10 奈米 FinFET 製程技術，相較於第 1 代 10 奈米 FinFET 製程技術（10LPE），10LPP 的製程可使性能提高 10%，功耗降低 15%。由於該製程延續已量產的 10LPE 製程，所以將可大幅縮短從開發到大量生產的準備時間，並提供更高的初期生產良率，因此更具競爭優勢。
三星進一步表示，採用 10LPP 製程技術製造的單晶片系統產品，預計將於 2018 年首季推出相關電子產品。三星電子代工市場行銷副總裁 Ryan Lee 表示，透過從 10LPE 製程向 10LPP 製程邁進，三星將更能為客戶提供服務，同時提高性能，提高初期產量。
另外，三星還同時宣布，位於南韓華城的最新 S3 生產線，目前正準備加速生產 10 奈米及其以下製程技術。S3 是三星晶圓代工業務的第 3 座晶圓廠，其它 2 座分別是位於南韓京畿道的器興（Giheung）的 S1，以及位於美國奧斯汀的 S2。根據規畫，三星的 7 奈米 FinFET 製程技術與 EUV（Extreme Ultra Violet）技術也預計將在 S3 晶圓廠於 2018 年開始大量生產。
（首圖來源：三星官網）
