為了減低近期記憶體降價帶來的衝擊，全球記憶體龍頭三星逐漸強化晶圓代工業務，希望有機會進一步拉近與台積電的差距。在先進製程的發展，根據三星高層表示，將在 2019 下半年量產內含 EUV技術的 7 奈米製程，而 2021 年量產更先進的 3 奈米 GAA 製程。
根據國外科技網站《Tomshardware》報導，三星晶圓代工業務市場副總 Ryan Sanghyun Lee 表示，三星從 2002 年一直在開發矽奈米線金屬氧化物半導體場效電晶體（Gate-All-Around，GAA ）技術，也就是透過使用奈米設備製造 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET），可顯著提升電晶體性能。三星準備在 2021 年量產 3 奈米 GAA 製程。
2018 年底，三星就已宣布將在 2020 年生產 4 奈米 GAA 製程。根據市場人士觀察，包括 Gartner 副總裁 Samuel Wang 都對 2022 年之前量產 GAA 技術表示懷疑。Samuel Wang 現在也說，三星看起來可能比預期更早量產 GAA 製程晶片。
報導進一步表示，關於三星 3 奈米 GAA 製程何時進入量產，至今似乎並沒有統一說法。三星晶圓代工業務負責人 Eun Seung Jung 在 2018 年 12 月在 IEDM 會議就表示，三星已完成 3 奈米製程技術性能驗證，進一步優化製程後，目標是在 2020 年大規模量產。
不過 3 奈米 GAA 製程不論 2020 年還是 2021 年量產，都還離現在都還有點遠。三星 2019 年主推的是內含 EUV 技術的 7 奈米製程，預計 2019 下半年量產。儘管三星 2018 年就已經宣布內含 EUV 技術的 7 奈米製程能量產，實際上之前所說的量產只是風險試產，遠未達到規模量產的地步，2019 年底量產才有可能。
只是，在內含 EUV 技術的 7 奈米製程，台積電之前也宣布將在 2019 年量產，看起來三星也沒有進度優勢，目前僅能寄望在三星在內含 EUV 技術的 7 奈米製程有自己開發的光罩檢查工具，而在其他競爭對手還沒有類似的商業工具的情況下，能有更好的良率以及更低的成本。因此 7 奈米節點，三星現階段想要超前，似乎還需要一點運氣。
（首圖來源：三星）
