看準台積電大幅採用 EUV,科磊推電子束圖案化晶圓缺陷檢測

作者 | 發布日期 2020 年 07 月 21 日 18:30 | 分類 國際貿易 , 晶圓 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


就在晶圓代工龍頭台積電已經進入 5 奈米製程量產,並且大量採用極紫外光刻設備(EUV)的情況下,美商半導體設備商科磊(KLA)於 21 日宣布,推出革命性的 eSL10 電子束圖案化晶圓缺陷檢測系統。透過該項新的檢測系統,可以發現相關光學或其他電子束缺陷檢測系統無法穩定偵測的缺陷,藉此以加快高性能邏輯和記憶體晶片,其中包括那些依賴於極紫外光刻(EUV) 技術的晶片的上市時間。