中國政府欲攜手日企開發半導體曝光設備,市場觀察其結果 作者 Atkinson | 發布日期 2020 年 10 月 13 日 17:40 | 分類 IC 設計 , 中國觀察 , 國際觀察 | edit 隨著美國政府加強對中國半導體企業的制裁與管制,使得過去中國設定到 2025 年中國的晶片自給率要達到 7 成的目標存在變數。對此,《日本經濟新聞》報導指出,面對美國的制裁,從長遠來看,這將反而可能會助長中國半導體產業的自立與發展。尤其是為了突破美國對中國的高科技設備封鎖,中國方面將聯合日本廠商 Nikon 及 Canon 一起研發除 EUV 之外的其他曝光設備。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: Canon , EDA , EUV , IC設計 , Nikon , 中芯國際 , 半導體 , 台積電 , 晶圓製造 , 華為