中國政府欲攜手日企開發半導體曝光設備,市場觀察其結果

作者 | 發布日期 2020 年 10 月 13 日 17:40 | 分類 IC 設計 , 中國觀察 , 國際觀察 Telegram share ! follow us in feedly
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隨著美國政府加強對中國半導體企業的制裁與管制,使得過去中國設定到 2025 年中國的晶片自給率要達到 7 成的目標存在變數。對此,《日本經濟新聞》報導指出,面對美國的制裁,從長遠來看,這將反而可能會助長中國半導體產業的自立與發展。尤其是為了突破美國對中國的高科技設備封鎖,中國方面將聯合日本廠商 Nikon 及 Canon 一起研發除 EUV 之外的其他曝光設備。

報導指出,美國近來陸續以禁售令來制裁中國華為與中芯國際等相關企業。就有供應鏈廠商指出,儘管有美國政府的出口限制,但中國半導體企業目前仍在設法迂迴避開美國的禁令規定,尋找生路。而其中,與日本企業傳出將共同研發曝光設備就是一例。目前,雖然全世界只有荷蘭的艾司摩爾 (ASML) 可以製造 EUV 曝光機。但是,因為其中大部分基礎技術的智慧產權都在美國手上,因此荷蘭政府之前就曾經宣布不允許 ASML 向中國出口 EUV 曝光機。

只是,除了 EUV 曝光機以外,其他的曝光設備包括日本的 Nikon 和 Canon 也可以生產。因此,就有知情的業界人士指出,目前中國正看準日本企業的研發能力,計畫由中國企業向兩家日本公司提供資金,共同進行除 EUV 以外的新型曝光設備開發。而為了因應未來的需求,中國政府也開始著手開發半導體製造相關設備和設計軟體。

報導指出,目前中國政府的想法,是中國有 1,000 多家新興的半導體相關公司,如果透過自行研發曝光機與相關設備、軟體,而使得中國華為和中芯國際從這些公司購買半導體晶片生產所需的製造設備與設計軟體等,實際上就可以有機會進一步提振整個中國半導體產業,這也是中國政府目前極力要發展半導體相關設備的主因。

不過,面對中國準備砸大錢發展曝光設備及相關軟體。就有市場專家指出,即使晶圓代工龍頭台積電是從 7 奈米加強版才開始採用 EUV 曝光設備,但過程中台積電與 ASML 也是經過了 10 年以上的合作與協調,最終才能成功的導入 EUV。因此,即便中國砸大錢與日企合作研發曝光機,短期要能成功則仍是困難重重。至於,半導體生產中也是關鍵的軟體部分,就有國際 EDA 大廠指出,EDA 其中的關鍵不再於半導體生產的相關參數,而是在其中都有專利布局的各項演算法,這方面中國廠商很難突破,也就不容易成功。

(首圖來源:shutterstock)