第二季 DRAM 合約價漲幅上修至 13%~18%，NAND Flash 約 15%~20%

TrendForce 最新預估，第二季 DRAM 合約價季漲幅將上修至 13%~18%；NAND Flash 合約價季漲幅同步上修至約 15%~20%，全線產品僅 eMMC / UFS 價格漲幅較小，約 10%。

403地震發生前，TrendForce原先預估，第二季DRAM合約價季漲幅約3%~8%；NAND Flash為13%~18%，較第一季漲幅明顯收斂，當時從合約價先行指標的現貨價格就可看出，現貨價連續走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要除AI外終端需求不振，尤其筆電、智慧手機需求尚未復甦，買方庫存逐漸增高，又以PC OEM為最。DRAM及NAND Flash已分別續漲兩三季，買方要再接受大幅漲價的意願消退。

403震後，市場零星傳出有PC OEM供應商出於特殊考量，接受高昂的DRAM及NAND Flash合約價漲幅，但僅零星成交案件。至4月下旬，業者陸續完成新合約價議價後，漲幅較預期擴大，推動TrendForce同步上修第二季DRAM、NAND Flash合約價漲，除了反映買方欲支撐庫存價值，關鍵更含供需兩端對AI市場展望的考量。

TrendForce表示，原廠擔憂後續有HBM產能排擠效應，以三星（Samsung）來看，HBM3e產品採1 alpha製程，至年底將占用1 alpha製程產能約六成，進一步排擠DDR5供給量，尤其以第三季HBM3e生產即將放量的時間點影響最大，經評估後買方轉而願意第二季提前備貨，因應第三季起可能出現HBM供應短缺。

同時，節能成為AI推論伺服器（AI Inference Server）優先考量，北美雲端服務業者（CSP）擴大採用QLC企業級SSD為儲存解決方案，帶動需求，並加速部分供應商庫存去化，推動另外供應商惜售心態。值得注意的是，受限消費性產品需求復甦情況不明朗，故原廠普遍對非HBM晶圓產能資本支出趨保守，尤其價格仍處於損益平衡點的NAND Flash。

（首圖來源：shutterstock）