工研院 IEEE 發表新世代記憶體論文，為 FRAM、MRAM 帶領未來商機

作者 Atkinson | 發布日期 2019 年 12 月 10 日 13:30 | 分類尖端科技 , 會員專區 , 記憶體

工研院於 10 日美國舉辦的 IEEE 國際電子元件會議（International Electron Devices Meeting，IEDM），發表 3 篇鐵電記憶體（Ferroelectric RAM，FRAM）及 3 篇磁阻隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random-Access Memory，MRAM）相關技術重要論文，引領創新研發方向，並為新興記憶體領域發表最多重要論文者。