IBM 和日本新創晶片商 Rapidus 於 IEEE IEDM 2024 國際電子元件會議,展示合作的多閾值電壓 GAA 電晶體成果,有望用於 Rapidus 的 2 奈米量產。
IBM 攜手 Rapidus 研發多閾值電壓 GAA 電晶體,有望 2 奈米量產 |
作者 Atkinson|發布日期 2024 年 12 月 12 日 11:45 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 |
為埃米時代開始準備,imec 提出雙列 CFET 結構推動 7 埃米製程 |
作者 Atkinson|發布日期 2024 年 12 月 10 日 15:10 | 分類 GPU , IC 設計 , 半導體 | edit |
在 2024 年 IEEE 國際電子會議(IEDM)上,比利時微電子研究中心(imec)發表一款採用互補式場效電晶體(CFET)的全新標準單元結構,內含兩列 CFET 元件,兩者之間共用一層訊號佈線牆。這種雙列 CFET 架構的主要好處在於簡化製程和大幅減少邏輯元件和靜態隨機存取記憶體(SRAM)的面積—根據 imec 進行的設計技術協同優化(DTCO)研究。與傳統的單列 CFET 相比,此新架構能讓標準單元高度從 4 軌降到 3.5 軌。