此前有外媒認為聯電將遭受 200 億美元的罰款，這個數字其實遠高於聯電市值，到底是怎麼估計的。
Category Archives: 晶片
終端需求前景黯淡，10 月 NAND Flash 顆粒／Wafer 合約價跌幅顯著 |
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TechNews|發布日期
2018 年 11 月 06 日 14:20 |
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根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查，2018 年 NAND Flash 市場全年處於供過於求，需求面隨著筆記型電腦及智慧型手機 OEM 庫存皆已備足，再加上中美貿易戰、英特爾 CPU 缺貨等影響，對於需求動能可以說是雪上加霜。10 月份除了 SSD、eMMC / UFS 價格持續下跌外，各類 NAND Flash 顆粒及 Wafer 產品的合約價跌幅更為顯著。 繼續閱讀..
10 月合約價格正式起跌，主流模組 4GB 面臨 30 美元保衛戰 |
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作者
TechNews|發布日期
2018 年 11 月 05 日 14:45 |
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根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查，各大廠已議定第四季合約價的情況下，10 月合約價格開始大幅滑落，主流模組 4GB 的均價自上季的 34.5 美元滑落至 31 美元，跌幅 10.14%；大容量模組 8GB 跌幅更明顯，自上季的 68 美元滑落至 61 美元，跌幅為 10.29%。由於 DRAM 市場供過於求的態勢才剛開始，因此不排除 11 月與 12 月價格將持續下探。由於各家廠商積極求售，8GB 解決方案的跌幅預期將會持續高於 4GB 解決方案。 繼續閱讀..
全球首款！SK 海力士成功研發 96 層 4D NAND，年內量產 |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2018 年 11 月 05 日 13:00 |
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韓聯社、東亞日報日文版報導，南韓半導體大廠 SK 海力士（SK Hynix Inc.）於 4 日宣布，已成功研發出較現行 3D 架構 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）進一步進化的「4D NAND Flash」產品。SK 海力士表示，現行大多數廠商都在 3D NAND 上採用 CTF（Charge Trap Flash，電荷儲存式快閃記憶體），而 SK 海力士則是在 CTF 架構上追加「PUC（Peri Under Cell）」技術，研發出全球首款堆疊 96 層的 512Gb 3bit/cell（Triple Level Cel，TLC）4D NAND Flash 產品。 繼續閱讀..
美控聯電與晉華竊密，半導體業者：台廠宜低調 |
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作者
中央社|發布日期
2018 年 11 月 03 日 23:05 |
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聯電與中國福建晉華遭美國司法部起訴指控共謀竊取美光商業機密，震撼各界。半導體業者認為，聯電遭刑事起訴，應與美中貿易戰有關，當前環境複雜，台灣廠商低調為宜。
