2018 年 DRAM 模組廠營收年增逾四成，前 10 大排名出爐 |
作者
TechNews|發布日期
2019 年 08 月 21 日 14:45 |
|
根據 TrendForce 記憶儲存研究（DRAMeXchange）最新全球記憶體模組廠排名調查顯示，儘管 2018 下半年整體 DRAM 價格反轉向下，但全年平均銷售單價仍較 2017 年上漲超過 10%，加上出貨增加，帶動 2018 年全球模組市場總銷售金額達到 166 億美元，年增 41%。 繼續閱讀..
台積電高居 2019 上半年全球前 15 大半導體企業第 3，聯發科擠進第 15 名 |
|
作者
Atkinson|發布日期
2019 年 08 月 21 日 10:30 |
|
雖然 2019 年上半年有著記憶體產能過剩、美中貿易戰、以及日韓貿易戰等因素的影響，整體半導體市場景氣衰退。不過，根據市場研究調查機構《IC Insights》調查報告顯示，2019 年上半年的全球前 15 大半導體廠商，台積電與聯發科都雙雙入榜。至於，龍頭寶座則不意外的由處理器龍頭英特爾（intel）自三星的手中搶回失去兩年的位置。而值得觀察的是，在全球半導體產業不景氣的狀況下，前 15 大半導體廠商中唯有 SONY 的營收較 2018 年同期成長。
美光宣布量產第 3 代 10 奈米級製程 DRAM，預測美光台中廠將設產線 |
|
作者
Atkinson|發布日期
2019 年 08 月 19 日 13:30 |
|
根據國外科技媒體《Anandtech》的報導指出，日前美系記憶體大廠美光科技 (Micron) 正式宣布，將採用第 3 代 10 奈米級製程 (1z nm) 來生產新一代 DRAM。而首批使用 1z nm 製程來生產的 DRAM 將會是 16GB 的 DDR4 及 LPDDR4X 記憶體。對此，市場預估，美光的該項新產品還會在 2019 年底前，在美光位於台灣台中的廠區內建立量產產線。
日韓貿易戰推現貨記憶體反彈，合約市場仍未撼動 |
|
作者
MoneyDJ|發布日期
2019 年 08 月 16 日 11:10 |
|
6 月東芝停電事件，加上 7 月開始日韓貿易戰延燒，推動了已跌到虧損流血的 NAND Flash 現貨價率先反彈，結束了 2 年多來的空頭走勢，此波記憶體價格由 NAND Flash 先起漲，接下來日韓貿易戰加入下，DRAM 在 7 月份現貨價也開始反彈。 繼續閱讀..
報復選項之一？韓總統府官員：考慮管制 DRAM 輸日 |
|
作者
MoneyDJ|發布日期
2019 年 08 月 13 日 15:25 |
|
日韓關係劍拔弩張，南韓 12 日宣布準備把日本移出白色名單後，青瓦台（南韓總統府）官員又暗示，管控 DRAM 出口，是報復日本斷供的選項之一。 繼續閱讀..
SK 海力士 2030 年推 800+ 層堆疊 NAND Flash，屆時 SSD 可達 200TB |
|
作者
Atkinson|發布日期
2019 年 08 月 12 日 16:30 |
|
目前，兩大韓系 NAND Flash 廠商──三星及 SK 海力士在之前就已經公布了新 NAND Flash 產品的發展規劃。其中，三星宣布推出 136 層堆疊的第 6 代 V-NAND Flash 之外，SK 海力士則是宣布成功開發出 128 層堆疊的 4D NAND Flash，並已經進入量產階段。不過，雖然兩家廠商競相推出 NAND Flash 的新產品，但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以，SK 海力士日前在一場會議上就公布了公司的規劃，預計在 2030 年推出 800+ 層的 NAND Flash，屆時將可輕鬆打造出 100 到 200TB 容量的 SSD。
格芯推出 12 奈米 ARM 架構 3D 晶片，稱成熟度優於台積電 7 奈米 |
|
作者
Atkinson|發布日期
2019 年 08 月 09 日 16:00 |
|
晶圓代工大廠格芯（GlobalFoundries）8 日宣布，開發出基於 ARM 架構的 3D 高密度測試晶片，將實現更高水準的性能和功效。由於當前晶片封裝一直是晶片製造中的一個關鍵點，使得在傳統的 2D 封裝技術已經發展到瓶頸之後，半導體製造商們把目光轉向 3D 堆疊技術上。除了看到大量的 3D NAND Flash 快閃記憶體的應用，英特爾和 AMD 也都有提出關於 3D 晶片的研究報告。如今，ARM 和格芯也加入這領域。
