近期編碼型記憶體(Nor Flash)因市場需求不減,價格依舊持續維持高檔。不過,目前中國有新產能開出,加上新的解決方案應用,導致供需雙方面都有變化的情況下,整體市場價格開始有鬆動傾向。
市場供需產生變化,近期 Nor Flash 市場價格恐開始鬆動 |
作者 Atkinson|發布日期 2017 年 12 月 26 日 10:40 | 分類 Apple , Samsung , 手機 |
NAND Flash 需求不退燒,東芝宣布興建第 7 座 NAND Flash 工廠 |
作者 Atkinson|發布日期 2017 年 12 月 25 日 10:41 | 分類 伺服器 , 國際貿易 , 晶片 | edit |
2017 年是 NAND Flash 快閃記憶體廠商豐收的一年,零售價格的暴漲帶動了廠商的營收,同時還對獲利有了巨大貢獻。所以,當前全球的 4 大 NAND Flash 廠商,包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。而根據外電的報導,東芝就最新宣布,將拿出 70 億日圓的金額,準備興建第 7 座快閃記憶體工廠(Fab7),地點就在日本的四日市(Yokkaichi)。
因應高效能運算需求,英特爾推出新款可重複程式設計晶片 |
作者 Atkinson|發布日期 2017 年 12 月 22 日 17:30 | 分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體 | edit |
半導體大廠英特爾(Intel)於 21 日宣布,推出業界首款採用整合式高頻寬記憶體 DRAM(HBM2)的可重複程式設計的晶片(FPGA)──Stratix 10 MX FPGA。該產品可通過整合 HBM2 提供 10 倍於獨立 DDR 記憶體解決方案的記憶體頻寬。而憑藉強大頻寬功能,Stratix 10 MX FPGA 將可用做高性能運算(HPC)、資料中心、網路功能虛擬化(NFV)等許多基本的功能加速器,使得這些需要應用到硬體加速器的部分,能提升大規模資料移動和資料管道框架的速度。
聯電推出 40 奈米 SST 嵌入式快閃記憶體製程,東芝 MCU 評估採用 |
作者 Atkinson|發布日期 2017 年 12 月 21 日 18:30 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 會員專區 | edit |
晶圓代工廠聯電 21 日宣布,推出 40 奈米結合 Silicon Storage Technology(SST)嵌入式 Super Flash 非揮發性的記憶體製程平台。而新推出的 40 奈米 SST 嵌入式快閃記憶,較當前量產的 55 奈米製程在單元尺寸上減少逾 20% ,並使整體記憶體面積縮小 20% 到 30%。目前,日本半導體大廠東芝電子元件暨儲存產品公司已開始評估其微處理器(MCU)晶片於聯電 40 奈米 SST 技術製程平台的適用性。
用 CRISPR 做出世界最小的記錄器 |
作者 Chen Jeffery|發布日期 2017 年 12 月 21 日 7:45 | 分類 會員專區 , 生物科技 , 記憶體 | edit |
音訊可以保存在磁帶介質上,而微生物的資料記錄器則可將生物訊號儲存在 CRIPSR 序列中。 繼續閱讀..