Category Archives: 記憶體

隔了 17 年,類比 IC 再迎來漲價榮景

作者 |發布日期 2021 年 06 月 17 日 11:17 | 分類 晶片 , 會員專區 , 處理器

根據市調機構 IC Insights 最新調查顯示,在 DRAM、NAND Flash 以及邏輯 IC、類比 IC 需求強勁和價格上漲帶動下,今年半導體產值將進一步上揚,預計將成長 24%,高於原先預估的 19%。其中,因市場供貨吃緊,類比 IC 除了預期今年將會有兩位數成長外,也罕見地迎來漲價榮景。

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台積電與美光相繼表態將在日本投資,韓媒指恐威脅南韓三星發展

作者 |發布日期 2021 年 06 月 15 日 11:30 | 分類 Samsung , 公司治理 , 晶圓

就在日前傳出台積電正思考在日本獨資興建並營運晶圓廠之後,美商記憶體大廠美光(Micron)執行長 Sanjay Mehrotra 近期接受《日本經濟新聞》採訪時也表示,美光將與日本政府合作,透過擴大在日本的投資,以及與當地設備和材料公司合作,加強日本的半導體供應鏈。而針對此一計畫,韓媒指稱將可能影響南韓記憶體廠商的發展。

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展現 176 層 NAND 與 1α 製程 DRAM 領先優勢,美光為 DC、車用與終端領域釋放數據力量

作者 |發布日期 2021 年 06 月 11 日 16:00 | 分類 5G , AI 人工智慧 , 晶片

身處資料經濟時代裡,企業成敗關鍵就在於運用潛藏在數據背後的洞見與力量,記憶體與儲存方案的領導者 Micron 美光科技日前在台北國際電腦展分享,如何透過創新記憶體和儲存技術,讓資料中心到智慧終端的運算性能再進化,並在徹底發揮 AI 與 5G 創新應用動能後,全面加速數據洞見與智慧化進程的願景。該公司也在盛會上發表一系列全球首款基於 176 層 NAND 與 1α DRAM 技術的記憶體與儲存產品,以及全球第一款支援 UFS 3.1 介面的車用儲存方案。
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快篩千餘人均呈陰性,旺宏預防性檢測完成

作者 |發布日期 2021 年 06 月 11 日 15:15 | 分類 公司治理 , 會員專區 , 記憶體

因應陸續發生的外籍移工新冠肺炎確診事件,及為確保員工健康與工作環境安全,並響應政府鼓勵企業針對移工進行快篩檢測,記憶體大廠旺宏以自有經費,自 6/9~6/10 針對外籍員工,以及居住地緣或工作而有潛在感染風險之同仁、外包廠商駐廠人員等約一千餘人展開預防性防疫快篩作業,所有人員的快篩檢測結果全數呈現陰性。

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ASML 第二代 EUV 曝光機開發傳瓶頸,神隊友救援力拚原時程問世

作者 |發布日期 2021 年 06 月 10 日 14:00 | 分類 晶片 , 會員專區 , 材料、設備

極紫外光曝光機(EUV)目前是先進半導體製程,不論 DRAM 或晶圓代工生產提升效能的關鍵。荷蘭商艾司摩爾(ASML)是全球唯一量產 EUV 曝光機的廠商,台積電、三星、英特爾先進製程都依賴 EUV 曝光機生產。現階段每台曝光機單價將近 1.5 億美元,但 ASML 的 EUV 曝光機目前出貨都是光源波長 13.5 奈米左右的第一代產品,物鏡 NA 數孔徑是 0.33,據 ASML 表示,第二代 EUV 曝光機已進入開發階段。

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擔心美光超車,三星加快第 8 代 228 層 V-NAND 快閃記憶體量產

作者 |發布日期 2021 年 06 月 09 日 15:30 | 分類 Samsung , 會員專區 , 記憶體

日前南韓媒體報導,美商記憶體廠美光 (Micron) DRAM 及 NAND Flash 快閃記憶體生產技術領先南韓三星及 SK 海力士兩大全球市佔率名列前茅的記憶體廠商,消息震撼南韓半導體業界,現在三星出來喊話,將加速生產 200 層或更多層數堆疊的 V-NAND 快閃記憶體。

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第三季 Graphics DRAM 合約市場供給仍吃緊,預估價格續漲 8%~13%

作者 |發布日期 2021 年 06 月 09 日 14:30 | 分類 GPU , 記憶體 , 零組件

全球市場研究機構 TrendForce 調查,近期繪圖 DRAM 在合約與現貨市場走勢差距甚大,合約市場貨況仍相當短缺,不僅報價持續看漲,部分中小型客戶的訂單滿足率也僅約三成,預期此供需緊張的態勢將延續至第三季,並再度拉漲繪圖 DRAM 合約價 8%~13%。 繼續閱讀..

原廠庫存低水位,支撐第三季記憶體價格續漲

作者 |發布日期 2021 年 06 月 08 日 14:25 | 分類 記憶體 , 財經 , 零組件

全球市場研究機構 TrendForce 表示,受各終端買方於今年上半年積極備庫存的帶動,使得記憶體原廠庫存偏低,DRAM 原廠平均庫存僅 3~4 週;NAND Flash 供應商平均庫存則為 4~5 週。面對第三季伺服器客戶欲加強採購力道,原廠針對各類記憶體產品報價並無降價求售的必要性,故 TrendForce 預估,第三季整體 DRAM 價格將續漲約 3%~8%;NAND Flash 則受企業 SSD 及晶圓需求攀升,整體價格季漲幅將由原先 3%~8% 上調至 5%~10%。 繼續閱讀..