Category Archives: 記憶體

韓系兩大 DRAM 廠確定 2018 年首季漲價,DRAM 漲勢短期難降溫

作者 |發布日期 2017 年 12 月 19 日 17:45 | 分類 AI 人工智慧 , Samsung , 伺服器

DRAM 記憶體市場近期嚴重供不應求,造成全球記憶體龍頭三星將於 2018 年第 1 季價格再上調 3% 至 5%。而另一家記憶體大廠 SK 海力士也將調漲約 5%。除此之外,有部分供應鏈透露,2018 年第 2 季的價格恐也將不樂觀,價格將續漲 5% 以上。因此,在需求太強勁的情況下,此波 DRAM 價格從 2016年下半年以來,每季都呈現上漲的態勢。如果加上 2018 年第 1 季持續漲價,報價已經連續 7 季走揚,堪稱 DRAM 史上時間最長的多頭行情。

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中國能否放行東芝出售旗下半導體業務,SK 海力士成為關鍵

作者 |發布日期 2017 年 12 月 19 日 12:15 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

根據《彭博社》引用知情人士消息報導,中國已啟動審查日本科技大廠東芝(Toshiba)出售旗下半導體業務之後,中國商務部的反壟斷審查官員指出,對南韓記憶體大廠 SK 海力士在此樁交易扮演的角色感到擔心,可能進一步影響中國對此審查案的態度。

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智慧手機新品延賣、增產腳步延遲,DRAM 價創 2 年 10 個月高

作者 |發布日期 2017 年 12 月 18 日 13:30 | 分類 手機 , 晶片 , 記憶體

日經新聞 15 日報導,半導體記憶體代表性產品 DRAM 價格持續走揚,12 月份指標性產品中的 DDR3 2Gb 批發價格較 11 月份揚升 3% 至每個約 1.9 美元左右、4Gb 產品也揚升 1% 至 3.6 美元左右,較年初相比,上述兩款產品價格皆大增 2 成,創下 2 年 10 個月來新高水準。 繼續閱讀..

三星半導體未來將著重非記憶體 SOC 及代工業務發展

作者 |發布日期 2017 年 12 月 18 日 9:50 | 分類 Samsung , 國際貿易 , 晶片

根據南韓媒體《The Investor》的報導,三星即將在 12 月 19 日舉行的一年兩次「全球戰略會議」上,由接任三星半導體業務負責人的金奇南(Kim Ki-nam)宣布,未來三星在半導體業務上將強化在非記憶體的 SOC(系統晶片)及代工業務的發展上。這是三星半導體部門在尋求當前除了最賺錢的記憶體業務之外,未來新的營收來源計畫。

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中國已經開始審查東芝半導體交易案,但恐趕不及 2018 年 3 月完成

作者 |發布日期 2017 年 12 月 15 日 13:10 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

根據 《路透社》 的報導,中國監管單位已經啟動對東芝出售旗下半導體業務的調查,而且在時間上可能會延遲這一向交易的最後完成時間。2017 年 9 月份,東芝與由貝恩資本 (Bain Capital) 領軍的 「美日韓聯盟」 達成價值 180 億美元的半導體業務出售協議。並計畫在 2018 年 3 月底東京證交所強制對東芝下市的大限前完成這一交易。

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光寶引進紫光集團持股蘇州光建,搶攻中國 SSD 市場商機

作者 |發布日期 2017 年 12 月 15 日 12:45 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

由於看好未來 SSD 固態硬碟的市場發展,日前國內電子元件與模組廠光寶公告指出,中國新成立的儲存廠蘇州光建存儲將增資的 5,500 萬美元,全由中國紫光旗下的蘇州紫光全數認股。蘇州光建註冊資本額為 1 億美元,其中紫光的投資比例占 55%,光寶科技占 45%。而且,蘇州光建董事會也將由雙方各派董事,紫光佔有 3 席,而光寶指派 2 席。

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威騰加速 2D NAND 轉向 3D NAND 生產,且 96 層 3D NAND 已開始交貨

作者 |發布日期 2017 年 12 月 15 日 11:50 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

就在威騰電子 (Western Digital ) 與日本半導體大廠東芝 (Toshiba) 就出售半導體部門,給予貝恩資本 (Bain Capital) 所領軍的美日韓聯盟一事達成和解之後,日前威騰電子召開會議,主要討論關於與東芝合作的各項協議細則。另外,還提出 NAND 快閃記憶體的生產計劃,並宣布開始將 96 層堆疊的 3D NAND 快閃記憶體交付零售商販售。

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資料中心需求帶動,估 2018 全年全球伺服器出貨規模將成長約 5.53%

作者 |發布日期 2017 年 12 月 14 日 14:30 | 分類 伺服器 , 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)研究指出,受到產業轉型、智慧型終端裝置普及率增加,近年來絕大部分的服務都是透過伺服器來做統合,特別是需要龐大資料進行運算與訓練的服務,甚至是虛擬化平台以及雲端儲存的帶動,對伺服器需求與日俱增,其中,資料中心的伺服器需求將成為整體伺服器市場出貨成長的關鍵,預估 2018 年全球伺服器出貨量將成長 5.53%。 繼續閱讀..

擴產與淡季影響,2018 年第一季 NAND Flash 產業供過於求致價格走跌

作者 |發布日期 2017 年 12 月 11 日 14:25 | 分類 儲存設備 , 記憶體 , 財經

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)研究指出,2018 年第一季在需求端面臨傳統淡季的衝擊,預計智慧型手機、平板電腦裝置量需求將較 2017 年第四季下跌逾 15%,而伺服器需求相對持平,整體位元需求量較 2017 年第四季呈現 0~5% 下跌。另一方面,NAND Flash 供應商仍持續提升 3D-NAND Flash 的產能及良率,位元產出成長亦較第四季高於 5%,預期 NAND Flash 市場將進入供過於求態勢,2018 年第一季固態硬碟、NAND Flash 顆粒及 wafer 等合約價皆將翻轉走跌。 繼續閱讀..

Rambus 揭露下一代記憶體速度,DDR5 與 HBM3 頻寬再翻倍

作者 |發布日期 2017 年 12 月 11 日 8:01 | 分類 記憶體 , 零組件

Intel Pentium 4 發售初期,因為市面沒有其他足以匹配 FSB 前端匯流排速度的記憶體,而選擇採用較不常見的 RDRAM 搭配,其後的主要技術來源即為 Rambus 公司。近日 Rambus 在一場投資者會議談到未來記憶體趨勢,DDR5 和 HBM3 傳輸速度相較現行產品均翻倍。 繼續閱讀..

美光在美國興訟,控告聯電及福建晉華侵害 DRAM 專利權

作者 |發布日期 2017 年 12 月 08 日 21:30 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

繼 2017 年 9 月份,美商記憶體大廠美光(Micron)在台灣控告晶圓代工大廠聯電(UMC),表示聯電透過美光離職員工竊取 DRAM 相關機密商業資料而遭檢方起訴之後,台北時間 6 日又在美國加州地方法院提起民事訴訟,控告聯電及其技術協助的福建晉華侵害該公司的 DRAM 專利技術。

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