Tag Archives: 氧化鎵

美扼住晶片咽喉,專家:恐禁先進 NAND 設備賣至中國

作者 |發布日期 2022 年 08 月 22 日 11:45 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 材料、設備

美國最近通過 2,800 億美元的《晶片與科學法案》(Chips and Science Act,CHIPS Act),限制接受資助的企業未來 10 年不得擴張或升級中國的先進晶片產能。為因應美方限制,南韓業者已開始重新評估中國投資,而隨著華盛頓試圖結盟南韓、台灣及日本,形成「Chip 4」晶片四方聯盟,美國施加的壓力可能進一步升溫。 繼續閱讀..

美國 EDA 軟體禁令長期制約中國個人運算 100% 國產化進程

作者 |發布日期 2022 年 08 月 22 日 7:15 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 會員專區

地緣政治壓力再度迫近,美國商務部與工業安全局(Department of Commerce,Bureau of Industry and Security,BIS)靠半導體尖端技術實力,於《瓦聖納協議》(The Wassenaar Arrangement)框架下發揮長臂管轄權(Long-arm jurisdiction),以美國國家安全疑慮為由 8 月 12 日再祭四項出口管制清單;三項關聯半導體設計與基材,包括第四代半導體材料氧化鎵(Ga2O3)、金剛石及輔助 3 奈米以下積體電路設計的「環繞閘極場效電晶體」(Gate-All-Around Field Effect Transistor,GAA)電子設計自動化(Electronics Design Automation,EDA)軟體。 繼續閱讀..

第四代半導體氧化鎵產業發展動態

作者 |發布日期 2022 年 08 月 18 日 8:15 | 分類 半導體 , 會員專區 , 材料

因材料的卓越物理特性,氧化鎵被產業界寄予厚望,並吸引知名汽車 Tier 1 廠商 Denso 關注,期藉此打造性能更好的動力系統部件;但須注意的是,氧化鎵產業化還面臨兩大困難:1. 大尺寸低缺陷單晶製作,僅日本 NCT 研發出 6 吋單晶,但尚未量產供貨;2. 氧化鎵功率半導體尚處於研發階段,大規模實際應用仍有欠缺。 繼續閱讀..

中國半導體產業最大衝擊!美國祭四大禁令管制 EDA 出口

作者 |發布日期 2022 年 08 月 14 日 23:11 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 國際觀察

美國商務部工業與安全局(BIS)12 日發最新聲明,為確保美國國家安全,8 月 15 日起祭出四大出口管制措施,包含可承受高溫電壓的第四代半導體材料氧化鎵(Ga2O3)和金剛石,以及開發驗證 3 奈米以下 GAAFET 架構的電子設計自動化軟體(Electronics Design Automation,EDA),還有火箭、高超音速系統的增壓燃燒技術(Pressure-gain combustion,PGC)。

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