Tag Archives: 高頻寬記憶體

HBM 開發藍圖曝光：2038 年 HBM8 架構大不同，採內嵌 NAND、雙面中介層
作者 |發布日期 2025 年 06 月 17 日 18:34 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

韓國科學技術院（KAIST）近期發表一篇長達 371 頁的論文，詳細描繪高頻寬記憶體（HBM）技術至 2038 年的演進路線，涵蓋頻寬、容量、I/O 寬度與熱功耗等面向的成長。該藍圖涵蓋從 HBM4 到 HBM8 的技術發展，包括先進封裝、3D 堆疊、嵌入式 NAND 儲存的記憶體中心架構，以及以機器學習為基礎的功耗控制手法。 繼續閱讀..

國研院攜手旺宏電子，開發領先全球的新型 3D DRAM 記憶體
作者 |發布日期 2025 年 02 月 25 日 16:28 |
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分類 半導體 , 尖端科技 , 晶片

負責儲存資料的隨機存取記憶體（RAM）在 AI 時代越發重要，直接影響到 AI 晶片處理數據速度、效率。近日，國研院半導體中心宣布與旺宏電子公司合作開發出新型高密度、高頻寬 3D 動態隨機存取記憶體，是全球最早開發新型 3D DRAM 團隊之一。 繼續閱讀..

美光：HBM 今年售罄，明年多數產能已預訂
作者 |發布日期 2024 年 03 月 21 日 10:00 |
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分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

美光科技（Micron Technology Inc.）執行長 Sanjay Mehrotra 20 日在財報電話會議表示，人工智慧（AI）伺服器需求正推動高頻寬記憶體（HBM）、DDR5（D5）和資料中心 SSD 快速成長，這使得高階 DRAM、NAND 供給變得吃緊，進而對所有記憶體和儲存終端市場報價帶來正面連鎖效應。 繼續閱讀..