下世代 EUV 單一造價近 120 億元，仍為半導體廠兵家必爭之地 |
作者
Atkinson|發布日期
2022 年 05 月 31 日 11:20 |
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外媒《Anandtech》報導，最先進晶片製造技術是 4 / 5 奈米製程，下半年三星和台積電還將量產 3 奈米製程，對使用 ASML EUV 微影曝光技術的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統來說，因有 0.33 NA（數值孔徑）光學器件，可提供 13 奈米解析度，目前看來解析度尺寸對 7 / 6 奈米節點 (36~38 奈米) 和 5 奈米 (30~32 奈米) 單一曝光技術已足夠。隨著間距低於 30 奈米（超過 5 奈米級先進節點）時代到來，13 奈米解析度可能需雙重曝光技術，將是未來幾年內主流技術應用。
蘋果、ASML、微軟等大廠加入比利時微電子永續半導體研究計畫 |
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作者
Atkinson|發布日期
2022 年 05 月 19 日 6:00 |
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奈米電子與數位科技的創新中心-比利時微電子研究中心（imec），在於本周舉行的 2022 年未來高峰會（Future Summits 2022）上宣布，其永續半導體技術與系統（Sustainable Semiconductor Technologies and Systems，SSTS）研究計畫成功匯集了半導體價值鏈的關鍵成員，從像是蘋果、微軟等科技巨頭，到 ASM、ASML、日本 KURITA、日本 SCREEN 與東京電子（Tokyo Electron）等半導體設備商，全都參與其中。
半導體埃米時代生產利器，imec 展示最新 High-NA EUV 技術進展 |
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作者
Atkinson|發布日期
2022 年 04 月 27 日 10:40 |
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全球半導體技術研究重鎮的比利時微電子研究中心（imec），日前國際光學工程學會（SPIE）先進曝光微影成形技術會議，展示 High-NA（高數值孔徑）曝光技術的大進展，含顯影與蝕刻製程的開發、新興光阻劑與塗料測試、量測與光罩技術最佳化等。因 imec 與台積電、英特爾等國際大廠密切合作，業界預期先進製程 2025 年後進入埃米（angstorm）時代，High-NA 曝光技術將是關鍵。
應材推出運用 EUV 延展 2D 微縮與 3D 閘極全環電晶體技術 |
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作者
Atkinson|發布日期
2022 年 04 月 25 日 14:15 |
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美商應材公司今日表示，策略是成為「PPACt 推動公司」 (PPACt enablement company)。因此，新發表七項創新技術，其目的就是要協助客戶運用 EUV 以持續進行 2D 微縮。新一代 GAA 電晶體的製造方式與當前的 FinFET 電晶體有所不同，以及應材備妥為 GAA 的製造提供業界最完整的產品組合，包括在磊晶、原子層沉積、選擇性去除材料的新步驟及兩種新整合性材料解決方案 (Integrated Materials SolutionsTM) 的情況下，藉此產生合適的 GAA 閘極氧化層與金屬閘極。
