Tag Archives: 半導體設備

晶圓廠設備支出續衝高,台供應鏈業績添保障

作者 |發布日期 2022 年 06 月 15 日 13:30 | 分類 晶圓 , 晶片 , 材料、設備

半導體產業擴產潮未歇,根據 SEMI(國際半導體產業協會)預測,2022 年全球前端晶圓廠設備支出總額將創下 1,090 億美元新高,2023 也看成長。法人表示,這意味著半導體設備競賽將一路延續到 2023 年、甚至更長,台系設備業還有一段好光景,其中,晶圓代工龍頭台積電供應鏈料將受惠顯著。 繼續閱讀..

SEMI:2022 年前段晶圓廠設備支出將破千億美元,台灣當領頭羊

作者 |發布日期 2022 年 06 月 14 日 16:10 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

SEMI 國際半導體產業協會最新全球晶圓廠預測季報 (World Fab Forecast) 指出,2022 年全球尖端晶圓廠設備支出總額將較前一年成長 20%,1,090 億美元創新高,繼 2021 年大幅成長 42% 後連續三年成長。預計 2023 年晶圓廠設備支出也持續成長。

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下世代 EUV 單一造價近 120 億元,仍為半導體廠兵家必爭之地

作者 |發布日期 2022 年 05 月 31 日 11:20 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

外媒《Anandtech》報導,最先進晶片製造技術是 4 / 5 奈米製程,下半年三星和台積電還將量產 3 奈米製程,對使用 ASML EUV 微影曝光技術的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統來說,因有 0.33 NA(數值孔徑)光學器件,可提供 13 奈米解析度,目前看來解析度尺寸對 7 / 6 奈米節點 (36~38 奈米) 和 5 奈米 (30~32 奈米) 單一曝光技術已足夠。隨著間距低於 30 奈米(超過 5 奈米級先進節點)時代到來,13 奈米解析度可能需雙重曝光技術,將是未來幾年內主流技術應用。

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應材與艾司摩爾分占 2021 年全球前 20 大半導體供應商冠亞軍,2022 年營收金額將再成長

作者 |發布日期 2022 年 05 月 30 日 10:20 | 分類 會員專區 , 材料、設備 , 財經

外媒統計 2021 年全球前 20 大半導體設備供應商,應用材料仍居第一,營收金額達 242 億美元,獨攬全球極紫外光曝光設備 (EUV) 的艾司摩爾排名第二,營收金額 211 億美元。之後依序為東京威力科創 171 億美元、科林研發 165 億美元、科磊 82 億美元。第四名科林研發營收是第五名科磊兩倍,顯示半導體設備市場也是大者恆大。

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蘋果、ASML、微軟等大廠加入比利時微電子永續半導體研究計畫

作者 |發布日期 2022 年 05 月 19 日 6:00 | 分類 IC 設計 , 晶圓 , 晶片

奈米電子與數位科技的創新中心-比利時微電子研究中心(imec),在於本周舉行的 2022 年未來高峰會(Future Summits 2022)上宣布,其永續半導體技術與系統(Sustainable Semiconductor Technologies and Systems,SSTS)研究計畫成功匯集了半導體價值鏈的關鍵成員,從像是蘋果、微軟等科技巨頭,到 ASM、ASML、日本 KURITA、日本 SCREEN 與東京電子(Tokyo Electron)等半導體設備商,全都參與其中。

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Pat Gelsinger:晶片短缺紓解延後到 2024 年,主因設備供不應求

作者 |發布日期 2022 年 05 月 06 日 13:15 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

外媒報導,2021 年 12 月英特爾執行長 Pat Gelsinger 就表示晶片短缺何時結束,2023 年應會改善。不過進入 2022 年,Pat Gelsinger 重新評估趨勢後表示,認為不可預測因素發展下,晶片全面復甦不會很快發生,晶片荒會持續到 2024 年,關鍵在沒有足夠設備生產晶片。

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半導體埃米時代生產利器,imec 展示最新 High-NA EUV 技術進展

作者 |發布日期 2022 年 04 月 27 日 10:40 | 分類 IC 設計 , 晶圓 , 晶片

全球半導體技術研究重鎮的比利時微電子研究中心(imec),日前國際光學工程學會(SPIE)先進曝光微影成形技術會議,展示 High-NA(高數值孔徑)曝光技術的大進展,含顯影與蝕刻製程的開發、新興光阻劑與塗料測試、量測與光罩技術最佳化等。因 imec 與台積電、英特爾等國際大廠密切合作,業界預期先進製程 2025 年後進入埃米(angstorm)時代,High-NA 曝光技術將是關鍵。

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應材推出運用 EUV 延展 2D 微縮與 3D 閘極全環電晶體技術

作者 |發布日期 2022 年 04 月 25 日 14:15 | 分類 IC 設計 , 晶圓 , 晶片

美商應材公司今日表示,策略是成為「PPACt 推動公司」 (PPACt enablement company)。因此,新發表七項創新技術,其目的就是要協助客戶運用 EUV 以持續進行 2D 微縮。新一代 GAA 電晶體的製造方式與當前的 FinFET 電晶體有所不同,以及應材備妥為 GAA 的製造提供業界最完整的產品組合,包括在磊晶、原子層沉積、選擇性去除材料的新步驟及兩種新整合性材料解決方案 (Integrated Materials SolutionsTM) 的情況下,藉此產生合適的 GAA 閘極氧化層與金屬閘極。

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