Tag Archives: 長江存儲

撐不過制裁壓力,中國長江存儲傳年後開始裁員

作者 |發布日期 2023 年 01 月 30 日 11:45 | 分類 中國觀察 , 公司治理 , 半導體

2022 年 10 月美國全面性管制出口中國半導體設備後,加強管制記憶體生產設備,DRAM 18 奈米以下、NAND Flash 快閃記憶體 128 層以上製程設備都必須取得特殊許可,才可出口到中國,對中國記憶體大廠長江存儲殺傷力強大。管制出口公布不久後,市場就傳出長江存儲要裁員的消息。現有長江存儲員工發聲,公司正式通知裁員,員工過完春節後就面臨沒工作景況。

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長江存儲遭列清單,市場質疑三星藉此漲 NAND Flash 合約價?

作者 |發布日期 2022 年 12 月 21 日 14:40 | 分類 IC 設計 , Samsung , 中國觀察

外媒報導,在中國記憶體廠長江存儲被美國商務部列入限制出口的實體清單之後,三星在 12 月上旬就將其 3D NAND Flash 快閃記憶體合約價格提高了 10% 。這原因是因為一些 PC OEM 廠商停止與長江存儲的合作,轉向其他記憶體製造商購買 3D NAND Flash,使得市場需求增加,也使得三星進一步提高報價。對此,有市場人士質疑,2022 年第四季 3D NAND Flash 合約價已下跌 20%,加上市場庫存仍高,調漲價格的情況根本不可能。

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長江存儲列入實體清單,2024 年後恐淡出 3D NAND 市場

作者 |發布日期 2022 年 12 月 16 日 15:30 | 分類 中國觀察 , 晶片 , 記憶體

全球市場研究機構 TrendForce 指出,美國商務部於 12 月 15 日正式將長江存儲(YMTC)列入實體清單(Entity List),未來所有進口、轉口或買賣美國商品前,皆須獲美國商務部許可,此舉將使長江存儲難購得美國設備商技術支援及設備零件,大幅限制位元成長可能性,以及恐導致 2024 年後淡出 3D NAND 市場。 繼續閱讀..

面對美國新一波出口管制,中國:控訴、爆買!

作者 |發布日期 2022 年 12 月 13 日 10:40 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 會員專區

外媒報導,日本和荷蘭原則上同意美國,共同加強限制出口中國先進晶片製造設備,主要限制 16 奈米製程沉浸式深紫外光微影曝光設備 (DUV),可廣泛用於 40 奈米成熟製程到 5 奈米先進製程,對中國半導體產業生產與發展影響甚大。中國除了向世界貿易組織告狀,消息指出中國廠商開始向各大設備商擴大採購,多少延長受衝擊時間。

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中國讓步,同意美國商務部檢查長江存儲

作者 |發布日期 2022 年 12 月 08 日 14:10 | 分類 中國觀察 , 半導體 , 國際貿易

英國《金融時報》報導,美國政府表示中國政府同意讓步,允許美國對 10 月列入未經核實名單的中國高科技公司出口管制檢查,似乎要確保中國 3D NAND Flash 供應商長江存儲不會被列入出口限制實體清單,嚴重損害從美國企業採購半導體設備。

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美國將放寬中國製造晶片使用規定,中國稱限制不符合任何人利益

作者 |發布日期 2022 年 12 月 07 日 10:40 | 分類 半導體 , 國際觀察 , 國際貿易

路透社報導,最新草案顯示,美國商會等貿易團體推動,美國參議員相關提案放寬美國政府及承包商使用中國製造晶片的限制。如果屬實,代表美國企業界努力削弱壓制中國科技產業的政府提案,原因在企業認為法案會提高經營成本。

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