Tag Archives: 3D DRAM

超越摩爾時代即將來臨？0.2 奈米將在 2040 年出現
作者 |發布日期 2025 年 12 月 26 日 15:30 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

根據韓國半導體工程師協會發表的《반도체 기술 로드맵 2026》（半導體技術路線圖 2026），全球半導體產業正規劃在未來 15 年內，將先進邏輯製程從現行的 2 奈米節點，逐步推進至 2040 年的 0.2 奈米，正式進入埃米（Å）世代。隨著傳統線寬微縮逐漸逼近物理極限，未來製程演進將不再僅仰賴微影技術，而是轉向結構、材料與系統層級的全面革新。 繼續閱讀..

國研院攜手旺宏電子，開發領先全球的新型 3D DRAM 記憶體
作者 |發布日期 2025 年 02 月 25 日 16:28 |
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分類 半導體 , 尖端科技 , 晶片

負責儲存資料的隨機存取記憶體（RAM）在 AI 時代越發重要，直接影響到 AI 晶片處理數據速度、效率。近日，國研院半導體中心宣布與旺宏電子公司合作開發出新型高密度、高頻寬 3D 動態隨機存取記憶體，是全球最早開發新型 3D DRAM 團隊之一。 繼續閱讀..

特種 DRAM 復甦緩慢、中國產能持續擴張！外資保守看力積電
作者 |發布日期 2024 年 04 月 16 日 10:38 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 記憶體

力積電昨日舉行 2024 年第一季法說會，瑞銀出具最新報告指出，目前公司盈利能力相對較低，考慮到與成熟代工廠的持續競爭，維持「中性」評級，目標價下調至 27 元；大摩認為特種 DRAM（specialty DRAM）復甦仍緩慢，力積電到第二季仍可能處於虧損，再考慮中國競爭對手都有擴張計畫，恐對該公司造成長期威脅，評級「劣於大盤」。 繼續閱讀..