記憶體業免驚？傳三星決定擴產 DRAM，但供需不受衝擊 |
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MoneyDJ|發布日期
2017 年 05 月 03 日 10:50 |
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三星電子的南韓華城廠（Hwaseong），即將擴產的傳聞延燒許久。最新消息顯示，三星決定投資 3 兆韓圜（約 26.4 億美元）提升 DRAM 產能。不過由於未來 11 線不再生產 DRAM，產能一增一減之下，應該不至於衝擊 DRAM 供給。 繼續閱讀..
智慧型手機功能升級商機無限 外媒點名大立光將直接受惠 |
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Atkinson|發布日期
2017 年 01 月 18 日 17:10 |
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根據《華爾街日報》的報導，在智慧型手機成長趨緩的情況下，包括相機鏡頭、記憶體等手機關鍵零組件的供應商，將會成為下一波贏家，其中三星、東芝（TOSHIBA）就是很好的例子。因為，儘管陷入 Galaxy Note 7 召回停產的困境，但是三星第 4 季淨利仍創下 3 年來的最高紀錄，這歸功於記憶體和螢幕的出色表現。而未來的智慧型手機需要利用更出色的功能來吸引用戶升級，例如雙鏡頭配置等。因此，鏡頭供應商大立光、圖像感測器供應商 SONY，3D NAND 快閃記憶體供應商三星、美光（Micron）等將因此而受惠。
海力士 72 層 3D NAND 記憶體，傳 2017 年領先全球量產 |
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MoneyDJ|發布日期
2016 年 12 月 26 日 15:00 |
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SK 海力士最先進 72 層 3D NAND 記憶體傳明年開始量產，韓聯社 26 日引述知情人事消息報導指出，海力士計劃於 2017 上半年完成晶片設計，位在利川（Icheon）的 M14 廠將可在下半年開始生產。 繼續閱讀..
2017 年中國將推自主生產 32 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體 |
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Atkinson|發布日期
2016 年 10 月 20 日 12:40 |
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隨著當前智慧型手機、SSD 等產品的市場需求強烈，包括快閃記憶體、記憶體等儲存晶片需求大量成長，近期價格也擺脫低潮，持續上漲，這樣的機會點這也給了中國相關企業介入儲存晶片市場的發展契機。根據外電的報導，在這波儲存晶片的熱潮下，中國本身也將在 2017 年推出 32 層堆疊的 3D NAND 快閃記憶體。雖然，這樣的技術相較南韓三星、日本東芝等國際大廠來說仍有落差，但總是為中國快閃記憶體市場跨出第一步。
北美半導體景氣復甦加速，B/B 值連 8 個月逾 1 |
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MoneyDJ|發布日期
2016 年 08 月 24 日 9:15 |
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國際半導體設備材料協會（SEMI）23 日公布，7 月北美半導體設備製造商接單金額來到 17.9 億美元，高於前月的 17.1 億美元；訂單出貨比（Book-to-Bill Ratio，B/B 值）則從前月的 1.0 進步至 1.05。 繼續閱讀..
三星擬擴產 3D NAND？外資：2017 年產能將拉高近 4 成 |
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MoneyDJ|發布日期
2016 年 06 月 16 日 16:10 |
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南韓經濟日報（Korea Economic Daily）15 日報導，三星電子（Samsung Electronics Co.）打算在 2017 年底前擴充 3D NAND 型快閃記憶體產能，總共要斥資 25 兆韓圜，主要擴產的是位於中國西安的廠房，預定今年稍晚會於該廠新設一條 3D NAND 生產線，另外還將在南韓平澤市的廠房投入資本。雖然根據韓國時報報導，三星電子已在 15 日稍早否認上述消息，宣稱 3D NAND 的投資內容尚未敲定，但分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。 繼續閱讀..
