Tag Archives: 3d nand

IC Insights:中國企業沒技術,難達成 2025 年半導體自給自足

作者 |發布日期 2017 年 02 月 03 日 13:45 | 分類 Samsung , 國際貿易 , 晶片

市場調查機構 IC Insights 日前發佈最新版年度分析報告指出,根據中國發展半導體產業的 3 個階段,自 2010 年起的第 3 階段,在 2014 年中國政府加強對半導體產業支援之後,到現在中國半導體產業雖然已經獲得了不少成就,但這一階段的發展也帶來了很多弊端。

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智慧型手機功能升級商機無限 外媒點名大立光將直接受惠

作者 |發布日期 2017 年 01 月 18 日 17:10 | 分類 Apple , Samsung , 手機

根據《華爾街日報》的報導,在智慧型手機成長趨緩的情況下,包括相機鏡頭、記憶體等手機關鍵零組件的供應商,將會成為下一波贏家,其中三星、東芝(TOSHIBA)就是很好的例子。因為,儘管陷入 Galaxy Note 7 召回停產的困境,但是三星第 4 季淨利仍創下 3 年來的最高紀錄,這歸功於記憶體和螢幕的出色表現。而未來的智慧型手機需要利用更出色的功能來吸引用戶升級,例如雙鏡頭配置等。因此,鏡頭供應商大立光、圖像感測器供應商 SONY,3D NAND 快閃記憶體供應商三星、美光(Micron)等將因此而受惠。

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美光宣布 3D NAND 快閃記憶體年底前大量投產

作者 |發布日期 2016 年 12 月 16 日 9:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 會員專區

本周宣佈正式合併台塑旗下記憶體廠華亞科的美商記憶體大廠美光 (Micron) 在 15 日表示,由於該公司的 3D NAND 快閃記憶體產能日前正式超過 2D NAND 快閃記憶體。其中,包括第 1 代 3D NAND 快閃記憶體的成本也符合預期,堆疊層數達到 64 層的第 2 代 3D NAND 快閃記憶體也在已經準備完成,預計將在 2016 年底要正式大規模量產。

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中國半導體基金有意收購德國商 Siltronic,加速矽晶圓市場整併

作者 |發布日期 2016 年 12 月 14 日 10:50 | 分類 晶片 , 會員專區 , 材料、設備

近期,由於半導體矽晶圓供應出現短缺,加上各地 12 吋晶圓廠陸續擴產,使得矽晶圓產業供需問題備受業界矚目。而繼 2016 年 8 月,台灣的環球晶圓以新台幣 214.34 億元的價格收購全球市佔率排名第 4 的美商 SunEdison,一舉成為全球第 3 大的矽晶圓供應商之後,近期也傳出中國半導體基金有意收購德商 Siltronic 的消息,再度為全球半導體矽晶圓產業的整併投下震撼彈。

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2017 年中國將推自主生產 32 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體

作者 |發布日期 2016 年 10 月 20 日 12:40 | 分類 Samsung , 手機 , 晶片

隨著當前智慧型手機、SSD 等產品的市場需求強烈,包括快閃記憶體、記憶體等儲存晶片需求大量成長,近期價格也擺脫低潮,持續上漲,這樣的機會點這也給了中國相關企業介入儲存晶片市場的發展契機。根據外電的報導,在這波儲存晶片的熱潮下,中國本身也將在 2017 年推出 32 層堆疊的 3D NAND 快閃記憶體。雖然,這樣的技術相較南韓三星、日本東芝等國際大廠來說仍有落差,但總是為中國快閃記憶體市場跨出第一步。

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美系外資看好記憶體市場需求 調高美光建議價格至每股 20 美元

作者 |發布日期 2016 年 08 月 30 日 17:22 | 分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體

繼上週日系外資提高記憶體廠美光 (Micron) 自每股 16 元的目標價到每股 20 元之後, 30 日另一家美系外資的最新研究報告也指出,在當前 DRAM 市場價格逐步回穩的情況下,加上美光逐步降低成本、提高每股獲利的轉變,也將美光的目標價由原本的每股 18 元,提高至每股 20 元的價位。

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西安變電站 18 日凌晨爆炸起火 多家半導體廠生產受到影響

作者 |發布日期 2016 年 06 月 18 日 19:58 | 分類 Samsung , 晶片 , 會員專區

根據中國媒體的報導,18 日凌晨位於西安市南郊一處的變電站疑似因為故障而引起爆炸起火,火光衝天照亮夜空,幸沒有人受傷。但逾 8 萬用戶一度停電,附近商店窗戶玻璃被震碎,汽車也有損壞。官方初步勘察後沒有發現人為破壞跡像,目前正調查事故原因。而由於該變電站供應附近多處半導體廠的供電,使得設置於該區的三星、美光、力成等半導體廠也都受到不同程度的影響,至於詳細的損害的數字有多少,目前正在詳細了解中。

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三星擬擴產 3D NAND?外資:2017 年產能將拉高近 4 成

作者 |發布日期 2016 年 06 月 16 日 16:10 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件

南韓經濟日報(Korea Economic Daily)15 日報導,三星電子(Samsung Electronics Co.)打算在 2017 年底前擴充 3D NAND 型快閃記憶體產能,總共要斥資 25 兆韓圜,主要擴產的是位於中國西安的廠房,預定今年稍晚會於該廠新設一條 3D NAND 生產線,另外還將在南韓平澤市的廠房投入資本。雖然根據韓國時報報導,三星電子已在 15 日稍早否認上述消息,宣稱 3D NAND 的投資內容尚未敲定,但分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。 繼續閱讀..

強力參戰!英特爾推出 4 款 SSD 新系列挑戰容量與效能

作者 |發布日期 2016 年 04 月 04 日 12:00 | 分類 軟體、系統 , 電腦

電腦晶片巨人英特爾(Intel)於美西時間 3 月 31 日在舊金山舉辦 Intel Cloud Day,發表多款伺服器級用 CPU、記憶體,並發表其自去年開始整合旗下多項不同雲端產品與終端解決方案的雲戰略:Intel Cloud for all(英特爾全雲方案),與其定義的「軟體定義基礎設施(Sofeware Define Infrastructure)」。 繼續閱讀..