東芝衝 NAND Flash 產能!傳砸 5 千億建新廠 2018 年量產

作者 | 發布日期 2014 年 09 月 09 日 9:00 | 分類 晶片
Logo of Toshiba Corp is seen at an electronics store in Yokohama

誓言打敗三星電子(Samsung Electronics)、奪下全球 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)市佔龍頭寶座的東芝(Toshiba)將有新一波增產動作,傳將豪砸 5,000 億日圓興建 NAND Flash 新工廠。



日本媒體日刊工業新聞 9 日報導,為了興建 NAND Flash 新工廠,東芝已和日本三重縣展開協商,計畫收購一塊鄰近四日市工廠的土地,收購協商預計將在 2015 年春天完成,而該座 NAND Flash 新工廠預估最快將在 2018 年啟用量產,包含生產設備在內的總投資額將超過 5,000 億日圓。

東芝近來加速衝刺 NAND Flash 產能,除了四日市工廠第 5 廠房(Fab 5)擴建工程(第 2 期工程)已完工並預計於今日(9/9)導入量產之外,東芝也正對四日市工廠第 2 廠房進行改建措施,並計劃導入生產 3D 結構 NAND Flash 的生產設備,目標為在 2015 年度下半年期間(2015 年 10 月-2016 年 3 月)開始生產 3D NAND Flash。

據日刊工業新聞指出,預估 2015 年度時東芝 NAND Flash 產能將可抗衡三星,且為了進一步提高 NAND Flash 的競爭優勢,故東芝決意興建上述新工廠。據報導,東芝幹部證實,該公司正就興建新工廠一事進行相關準備,且也正與三重縣進行協商。

南韓媒體中央日報日文版報導,根據市場研究機構 TrendForce 旗下內存儲存事業處 DRAMeXchange 公佈的資料顯示,2014 年第 2 季三星電子 NAND 型快閃記憶體市佔高居第一、市佔率達 30.8%;東芝排名第二,市佔率為 20.5%;其次分別為 SanDisk 的 19.7%、美光科技(Micron Technology)的 12.9% 和 SK Hynix 的 9.5%。

(MoneyDJ新聞 記者 蔡承啟 報導) 

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