美光首個 3D NAND 晶片送樣,打破三星獨霸局面

作者 | 發布日期 2016 年 08 月 10 日 18:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

記憶體的 3D NAND Flash 大戰即將開打!目前 3D NAND 由三星電子獨家量產,但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今美光(Micron)也宣布研發出 3D NAND 晶片,而且已經送樣,三星一家獨大的情況將畫下句點。



TechRadar、ComputerWorld 報導,美光 9 日宣布開發出該公司第一款 3D NAND 晶片,採 48 層堆疊,容量為 32GB。這款 3D NAND 將用於中高階智慧手機,支援全新的儲存標準 UFS2.1。

美光宣稱,新品效能比前代提升 40%,尺寸更是業界最小,美光的 3D NAND 晶粒(die)比相同效能的平面 NAND 晶粒,體積縮小 30%。新品已送樣給行動裝置廠,預定今年底廣泛出貨。

美光行動業務部門發言人 Dan Bingham 說,該公司第二代 3D NAND 將為 64 層,研發時程尚未公布。為了支援虛擬實境和串流影片需求,行動裝置的記憶體容量不斷增加,美光預估,2020 年智慧手機的內建記憶體或許會有 1TB,和電腦差不多。

霸榮(Barronˋs)9 日刊出 Pacific Crest 報告,內容預測 3D NAND 時代將要到來。報告稱,英特爾、美光、SK 海力士(SK Hynix)、東芝、Western Digital 的 3D NAND 應該很快就會上市。估計第三、四季 3D NAND 產品將會大增。英特爾和美光的產品已經差不多就緒,東芝和 SK 海力士則可能在 Q4 出貨。

Pacific Crest 認為,3D NAND 戰役中,美光情勢有利。該公司的 3D NAND 儘管層數較少,但是密度高,而且美光無可損失。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:美光

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