SK 海力士發表全球最高密度行動 8GB DRAM

作者 | 發布日期 2017 年 01 月 10 日 11:15 | 分類 手機 , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

SK 海力士周一發表全球最高密度、低耗能行動 DRAM,將應用於未來智慧型手機上。



海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道晶片打造出低耗電 DDR4X 行動 DRAM,容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言,SK 海力士新記憶體晶片密度是全球最高,功效則較現有 LPDDR4 提高兩成。(koreaherald.com)

另外,與現有產品相比,8GB LPDDR4X 封裝面積減少三成,厚度減少 1 厘米,這讓手機業者在設計上有更多運用空間。SK 海力士打算推廣新晶片應用範圍至筆電、汽車電子與其他行動裝置。

據市調機構 IHS 預測, 8GB 行動 DRAM 今年將可以看到需求,高階智慧型手機將最為明顯,如三星下一代旗艦機 Galaxy S8 是否會採用 8GB RAM,現已成為市場討論話題。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:SK 海力士) 

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